Ein Forschungsteam der Universität Jyväskylä und der Aalto University hat kürzlich eine neue Methode auf Basis von Laser-Modifikation entwickelt, die das Wachstum von metallorganischen Materialien mit molekularer Schichtgenauigkeit an spezifischen Stellen ermöglicht. Diese Technologie, veröffentlicht in der Zeitschrift „ACS Nano“, eröffnet neue Anwendungswege in der Materialwissenschaft.

Die Atomlagenabscheidung (ALD) ist eine in der Halbleiterindustrie häufig verwendete Technik, die in den 1970er Jahren vom finnischen Wissenschaftler Tuomo Suntola erfunden wurde, um hochwertige Dünnschichten herzustellen. Herkömmliche ALD-Verfahren erzeugen typischerweise anorganische Materialien wie Zinkoxid oder Aluminiumoxid. Forscher erkunden nun jedoch die Molekularschichtabscheidung (MLD), bei der organische und anorganische Vorläufer kombiniert werden, um Materialeigenschaften maßzuschneidern.

Diese Laser-Graphen-Modifikationstechnologie ermöglicht die ortsselektive Molekularschichtabscheidung durch die Kombination der Graphen-Expertise der Universität Jyväskylä mit dem MLD-Wissen der Aalto University. Professorin Maarit Karppinen von der Aalto University betont: „Wir verwendeten leuchtendes organisches Europium-Material als Beispiel, aber dieser Ansatz ist auf eine Vielzahl von Dünnschichtmaterialien anwendbar und eröffnet breite Perspektiven für künftige Anwendungen.“ Die Forscher hoffen, mit Unternehmen zusammenzuarbeiten, um diese Technologie in die praktische Anwendung zu überführen.

Veröffentlichungsdetails: Autor: University of Jyväskylä; Titel: „Laser-modified graphene enables molecule-thick films to grow only where needed“; veröffentlicht in: „ACS Nano“ (2026).