Eine umfassende Lösung zur Überwachung und Frühwarnung vor ultravioletten Teilentladungen im Bergbau mittels Galliumnitrid (GaN)-Chips

Diese Lösung nutzt Kerntechnologien wie GaN-Smart-Chips der dritten Generation, MEMS-Technologie und KI-Algorithmen, um eine Produktmatrix zur Überwachung und Warnung vor ultravioletten Teilentladungen in elektrischen Anlagen zu schaffen. Durch den Einsatz von GaN-UV-Sensorchips wird ultraviolettes Licht in den frühen Stadien von Teilentladungen in elektrischen Anlagen präzise erfasst. Die Lösung zeichnet sich durch hohe Störfestigkeit, hohe Überwachungsempfindlichkeit sowie die frühzeitige Erkennung und Warnung vor Teilentladungen aus. Sie löst effektiv die Herausforderung der Branche, Isolationsfehler in elektrischen Anlagen im Untertagebau frühzeitig zu erkennen und deren Entwicklung vorherzusagen, und bietet wirksamen Schutz für den sicheren und stabilen Betrieb dieser Anlagen.