Rahmenbauweise-Hochspannungs-Parallelkondensator-Komplettanlage

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China
Xi'an Smart Industrial Park, Nr. 1303 Yunling Road, High-Tech-Zone, Huyi-Bezirk, Xi'an
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Produktbeschreibung

Die rahmenbauweise Hochspannungs-Parallelkondensatoranlage wird hauptsächlich in Wechselstromsystemen ab 1 kV eingesetzt, um den Leistungsfaktor von Übertragungsleitungen zu verbessern, Leitungsverluste zu reduzieren, die Spannungsqualität zu verbessern und die Fähigkeit von Übertragungs- und Umspannungsgeräten sowie Leitungen zur Übertragung von Wirkleistung zu steigern. Die rahmenbauweise Hochspannungs-Parallelkondensatoranlage gibt es in vielfältigen Strukturtypen. Sie hat derzeit den größten Einsatz in der Blindleistungskompensation, den breitesten Anwendungsbereich und eine vergleichsweise ausgereifte Technik. Sie wird in Stromsystemen, großen Umrichterstationen und Industrie- und Bergbaubetrieben benötigt und kann je nach Kundenwunsch indoor oder outdoor aufgestellt werden.

Produkteigenschaften

  • Flexible Strukturformen, geeignet für die meisten Anwendungsfälle, breiter Einsatzbereich.
  • Je nach Anlagenkapazität werden unterschiedliche Schutzkonzepte eingesetzt; der Schutz ist empfindlich, sicher und zuverlässig.
  • Großer Kriechweg, hohe Verschmutzungsbeständigkeit; hohe mechanische Festigkeit und Erdbebensicherheit, gute Dichtigkeit.
  • Die Kondensator-Komplettanlage wird in vormontierter und transportfertiger Form zur Baustelle geliefert und ist einfach zu installieren und zu warten.
Technische Parameter
Nennspannung 6 kV und höhere Spannungsebenen
Nennleistung 300 kvar ~ 240 Mvar
Nennreaktanzrate 5 %, 12 %
Kapazitätstoleranz

(1) Die zulässige Kapazitätstoleranz der Kondensatorgruppe beträgt 0~+5 % der Nennkapazität;

(2) Das Verhältnis des maximalen zum minimalen Kapazitätswert zwischen beliebigen zwei Leiteranschlüssen einer dreiphasigen Kondensatorgruppe überschreitet 1,02 nicht;

(3) Das Verhältnis des maximalen zum minimalen Wert jedes Serienabschnitts der Kondensatorgruppe beträgt 1,02;

Induktivitätsabweichung der Drosselspule Bei Nennreaktanzrate ≥5 % beträgt die Induktivitätsabweichung 0~+5 %;
Bei Nennreaktanzrate ≤1 % beträgt die Induktivitätsabweichung 0~+10 %;
Schutzart Offenes-Dreieck-Schutz, Spannungsdifferenzialschutz, Unsymmetrie-Stromschutz, Brücken-Differenzstromschutz, Unsymmetrie-Spannungsschutz usw.;
Ausführungsstandards GB50227, GB50060, GB/T30841, GB311.1