TSMC aus Taiwan (China) prüft die Produktion von 3D-DRAM-Chips

de.wedoany.com-Bericht: Am 6. November berichtete das US-Technologiemagazin „The Information" unter Berufung auf zwei direkt informierte Personen, dass das taiwanesische (China) Halbleiterfertigungsunternehmen TSMC auf Wunsch seines Hauptkunden Nvidia einen Produktionsplan für dreidimensionale dynamische Random-Access-Speicher (3D-DRAM) erstellt. Das Unternehmen prüfe den Einstieg in die Fertigung fortschrittlicher Speicherchips und untersuche Optionen wie den Bau neuer Fabriken sowie den Erwerb und die Umrüstung bestehender Wafer-Fabriken, um sein Geschäftsfeld in der Lieferkette für KI-Hardware zu erweitern.

Die Planung wird von Xu Guojin geleitet, dem Vizepräsidenten von TSMC, der für die Entwicklung der fortschrittlichen Verpackungstechnologie verantwortlich ist. Xu Guojin war zuvor Leiter von Micron Technology in der Region Taiwan (China), wo er für das lokale Speicherchip-Fertigungsgeschäft zuständig war, und leitete zudem den Betrieb der TSMC-Wafer-Fabrik im US-Bundesstaat Washington. TSMC untersucht derzeit verschiedene Möglichkeiten des Erwerbs von Produktionsanlagen sowie Wege zum Aufbau von Speicherchip-Produktionslinien.

TSMC hat bereits technische Forschung zu vertikalen DRAM-Strukturen durchgeführt und entsprechende Patente angesammelt. Das nun geplante 3D-DRAM betrifft vertikale Speicherzellenstrukturen; auch Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology entwickeln vergleichbare Speichertechnologien. Die betreffenden Unternehmen arbeiten an der technologischen Entwicklung für die Fertigung der nächsten Generation von Speicherchips.

Nach Veröffentlichung der entsprechenden Berichte am 6. November stiegen die American Depositary Receipts von TSMC im frühen Handel an der US-Börse zeitweise um 7,7 %. Die Planung für Speicherchips befindet sich noch in der internen Bewertungsphase; eine formelle Investitionsentscheidung und konkrete Produktionsvereinbarungen bleiben weiteren Unternehmensangaben vorbehalten.