GaN-Heterostrukturen zeichnen sich durch hervorragende Eigenschaften wie eine große Bandlücke, hohe Durchbruchfeldstärke und hohe Elektronensättigungsgeschwindigkeit aus und eignen sich daher ideal für die Herstellung von Hochleistungs-Mikrowellenbauelementen. Galliumnitrid-Mikrowellendioden (GaN-SBDs) sind Kernkomponenten in Mikrowellenschaltungen und werden unter anderem zur Gleichrichtung, Begrenzung, Detektion und zum Schalten eingesetzt. Hochleistungs-Mikrowellendioden sind dringend benötigte Kernkomponenten in modernen Mikrowellen-Leistungsempfängern für die Gleichrichtung und als robuste Hochleistungs-Mikrowellenbegrenzer. Das Halbleitermaterial Galliumnitrid mit seiner großen Bandlücke bietet einzigartige Vorteile für Hochleistungs-Mikrowellenanwendungen.

Anwendungsbereiche

Mikrowellen- und Millimeterwellenempfänger finden breite Anwendung in der Kommunikation, im Radar, in der Navigation, in der elektronischen Kampfführung, in der Raumfahrttechnik, in der Mess- und Regelungstechnik sowie in der Luft- und Raumfahrt.

Mischer werden häufig in kleinen Mobilkommunikationsprojekten in den Bereichen Produktion, Sicherheit und Feldtechnik eingesetzt.

Detektoren finden breite Anwendung in Skalarnetzwerkanalysatoren, Sechstornetzwerken und Mikrowellen-Impulsempfängern.

Begrenzer werden häufig als Kernmodule in Radarsystemen eingesetzt.