Aufgrund der inhärenten Materialeigenschaften (große Bandlücke, hohe Durchbruchfeldstärke, niedriger Durchlasswiderstand, geringer Wärmewiderstand usw.) eignen sich SiC-Bauelemente im Vergleich zu siliziumbasierten Bauelementen für hohe Sperrschichttemperaturen, hohe Durchbruchspannungen, hohe Leistungen und hohe Ströme und erfüllen somit die neuen Entwicklungsanforderungen der Leistungselektronik.
Siliziumkarbid-Schottky-Barrieredioden (SiC-SBDs): Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit und extrem niedriger Sperrstrom reduzieren die Schaltverluste deutlich und führen zu einer exzellenten Energieeffizienz.
Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren (SiC-MOSFETs): Geringe Verluste, höhere Schaltgeschwindigkeit, hohe Sperrspannung, geeignet für den Betrieb in Hochtemperaturumgebungen und ermöglichen die Miniaturisierung des Gesamtsystems.
Siliziumkarbid-Leistungsmodule (SiC-Leistungsmodule): Die modulare Integration und das Packaging mehrerer Siliziumkarbid-Chips erhöhen die Strombelastbarkeit von SiC-Leistungsbauelementen zusätzlich. Im Vergleich zu siliziumbasierten Leistungsmodulen werden Schaltverluste und Größe deutlich reduziert. Ihre einzigartigen Vorteile, wie hohe Spannung, hoher Strom, hohe Temperatur, hohe Frequenz und geringe Verluste, werden die Effizienz bestehender Energieumwandlungsprozesse erheblich verbessern.



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