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Substratmaterial |
N-dotiertes, phosphorhaltiges monokristallines Siliziumwafer |
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Dicke |
130±10%μm |
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Abmessungen |
182.2mm*183.75mm±0.25mm,φ256mm±0.25mm |
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Vorderseite |
16 Hauptgate-Leitungen, 172 ± 10 % Nebengate-Leitungen, blaue Antireflexbeschichtung (Siliziumnitrid) |
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Rückseite |
16 Hauptgate-Leitungen, 178 ± 10 % Nebengate-Leitungen, blaue Antireflexbeschichtung (Siliziumnitrid) |
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N-Typ TOPCon bifaziale Batterie HG183
Angebotsgespräch
China
Gebäude 72, Jinrun Industrial Park, Gemeinde Gaoxin, Stadt Gaochang, Bezirk Xuzhou, Stadt Yibin, Provinz Sichuan
+86 13925933306
lianxy@sunsyncgroup.com
Produktbeschreibung
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