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Substratmaterial |
N-dotiertes, phosphorhaltiges monokristallines Siliziumwafer |
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Dicke |
130±10%μm |
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Abmessungen |
210mm*210mm±0.25mm,φ295mm±0.25mm |
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Vorderseite |
18 Hauptgate-Leitungen, 188 ± 10 % Nebengate-Leitungen, blaue Antireflexbeschichtung (Siliziumnitrid) |
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Rückseite |
18 Hauptgate-Leitungen, 192 ± 10 % Nebengate-Leitungen, blaue Antireflexbeschichtung (Siliziumnitrid) |
1/1
N-Typ TOPCon bifaziale Batterie HG210N
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China
Gebäude 72, Jinrun Industrial Park, Gemeinde Gaoxin, Stadt Gaochang, Bezirk Xuzhou, Stadt Yibin, Provinz Sichuan
+86 13925933306
lianxy@sunsyncgroup.com
Produktbeschreibung
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