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N-Typ TOPCon bifaziale Batterie HG210N
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Sichuan Sunsync Photovoltaic Technology Co., Ltd.
China
Gebäude 72, Jinrun Industrial Park, Gemeinde Gaoxin, Stadt Gaochang, Bezirk Xuzhou, Stadt Yibin, Provinz Sichuan
+86 13925933306
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Produktbeschreibung

Substratmaterial

N-dotiertes, phosphorhaltiges monokristallines Siliziumwafer

Dicke

130±10%μm

Abmessungen

210mm*210mm±0.25mm,φ295mm±0.25mm

Vorderseite

18 Hauptgate-Leitungen, 188 ± 10 % Nebengate-Leitungen, blaue Antireflexbeschichtung (Siliziumnitrid)

Rückseite

18 Hauptgate-Leitungen, 192 ± 10 % Nebengate-Leitungen, blaue Antireflexbeschichtung (Siliziumnitrid)
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