Chinas 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer-Vollautomatik-Dünnschleifmaschine von CETC erreicht Serienproduktionseinsatz

de.wedoany.com-Bericht: Die erste vollautomatische Dünnschleifmaschine für Siliziumkarbid-(SiC-)Bauelement-Wafer, die von der Beijing CETC Company unter der CETC Electronic Equipment Group (kurz: CETC Equipment) eigenständig entwickelt wurde, wurde kürzlich erfolgreich an ein führendes inländisches Wafer-Unternehmen geliefert und im Serienproduktionseinsatz realisiert. Damit hat das Unternehmen eine branchenführende inländische Komplettlösung für das Dünnschleifen über den gesamten Prozess von Siliziumkarbid-Ingots, -Wafern und -Bauelement-Wafern gebildet.

Derzeit tritt die Verbindungshalbleiterindustrie in ein entscheidendes Zeitfenster der skalierenden Expansion ein. Die beschleunigte Verbreitung von 800-V-Hochvolt-Plattformen für Neue-Energie-Fahrzeuge, die iterative Weiterentwicklung von Photovoltaik- und Energiespeicherstandards sowie die konzentrierte Freisetzung des Bedarfs an KI-Rechenleistungsstromversorgungen – diese drei Entwicklungsimpulse verstärken sich gegenseitig, und der Markt hat einen dringenden Bedarf an Hochleistungs-Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen, die den Anforderungen von Automobil- und Rechenleistungsanwendungsszenarien gerecht werden.

Bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Leistungsbauelementen ist das Dünnschleifverfahren der Wafer-Rückseite einer der wichtigsten Prozessschritte, der den Wärmewiderstand, die Durchlassverluste und die Massenausbeute der Bauelemente bestimmt. Da Siliziumkarbid eine hohe Härte aufweist und schwer zu schleifen ist, entstehen bei der Bearbeitung der Wafer-Rückseite leicht Kantenausbrüche, Mikrorisse oder sogar Waferbruch, was strenge Anforderungen an die Steifigkeit der Dünnschleifausrüstung, die Schwingungsdämpfung der Spindel, die Formkontrolle des Auflagetisches und die geschlossene Prozessregelung stellt.

Die Beijing CETC Company setzt bei den Schmerzpunkten der Branche an und entwickelt die vollautomatische Dünnschleifmaschine für Siliziumkarbid-Bauelement-Wafer. Dem Bericht zufolge verwendet die Ausrüstung eine Ganzmaschinenstruktur mit drei Achsen und vier Stationen, integriert automatisierte Transfereinheiten und Reinigungseinheiten und realisiert einen vollautomatischen Bearbeitungsablauf mit Trocken-Ein- und Trocken-Ausgang, wodurch die Prozessdurchlaufzeit effektiv verkürzt wird. Durch die Abstimmung von hochsteifen, schwingungsarmen und leistungsstarken Luftlagerspindeln, Schleifscheiben und Prozessparametern wird ein Gleichgewicht zwischen Bearbeitungseffizienz und Verbrauchsmaterialkosten erreicht. In der Serienproduktion hat sich gezeigt, dass 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer stabil auf mindestens 120 Mikrometer geschliffen werden können, der stündliche Durchsatz nicht unter 15 Wafern liegt und die Dickenabweichung innerhalb des geschliffenen Wafers stabil auf weniger als 3 Mikrometer kontrolliert wird, was die Anforderungen der Serienproduktion an Kapazität und Konsistenz umfassend erfüllt.

Gleichzeitig ist die Ausrüstung mit einer selbst entwickelten hochsteifen Präzisions-Luftlagerspindel ausgestattet, die eine sub-mikrometergenaue Rotationsbewegungspräzision erreicht und ein breites Prozessfenster ermöglicht, um den Bedarf an vielfältigen Dünnschleifverbrauchsmaterialien zu decken; ergänzend ist eine hochpräzise Lastmessung vorhanden, die den Prozess in Echtzeit überwachen und das Risiko von Waferbruch frühzeitig melden kann. Die Software und Hardware der Ausrüstung unterstützen zudem die automatische Korrektur und Kalibrierung der Schleifscheibe.

Berichten zufolge stellt diese Ausrüstung einen bedeutenden Durchbruch inländischer Geräte im Prozessschritt des Rückseiten-Dünnschleifens von 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern dar, schließt eine Lücke bei chinesischen Fertigungsanlagen für Verbindungshalbleiter und bietet eine solide Absicherung für die Serienproduktion inländischer Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente.