de.wedoany.com-Bericht: Die Mitsubishi Electric Corporation hat Muster der fünften Generation von Siliziumcarbid (SiC)-MOSFET-Bare-Dies vorgestellt, die speziell für Antriebsstranganwendungen in Elektrofahrzeugen entwickelt wurden. Das Unternehmen plant, ab Ende Juni schrittweise Muster bereitzustellen, die für Traktionswechselrichter und eAxle-Systeme in Elektrofahrzeugen (EV), Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeugen (PHEV) und anderen elektrifizierten Fahrzeugplattformen vorgesehen sind.
Die neuen Produkte nutzen die proprietäre Graben-SiC-MOSFET-Technologie von Mitsubishi Electric und sind im Vergleich zur Vorgängergeneration mit geringeren Leitungsverlusten ausgelegt. Der Einschaltwiderstand der fünften Generation ist etwa 25 % niedriger als bei bestehenden Lösungen, was zur Verbesserung der Gesamtleistungsumwandlungseffizienz in Fahrzeugantriebssystemen beiträgt.
Der niedrigere Einschaltwiderstand reduziert direkt die Leitungsverluste im Wechselrichter, verbessert die Antriebseffizienz und ermöglicht eine effizientere Nutzung der Batterieenergie. Fahrzeughersteller können dadurch die Reichweite erhöhen und gleichzeitig kompaktere und effizientere Antriebsstrangarchitekturen unterstützen.
Mitsubishi Electric gibt an, dass die neuen SiC-MOSFET-Bare-Dies darauf ausgelegt sind, die kontinuierliche Weiterentwicklung von Hochleistungswechselrichtern und integrierten eAxle-Systemen zu unterstützen, wobei Leistungsdichte und Effizienzsteigerung weiterhin zentrale Designziele bleiben. Diese Bauelemente könnten zur Systemminiaturisierung und Leistungssteigerung beitragen und den Wandel der Branche hin zu effizienteren elektrifizierten Fahrzeugen vorantreiben.
Fortschritte in der Fertigungstechnologie zielen darauf ab, langfristige Leistungsverschlechterungen zu minimieren und Schwankungen kritischer Parameter wie Leistungsverluste und Einschaltwiderstand über den Lebenszyklus der Bauelemente zu reduzieren. In der Automobilumgebung ist die Aufrechterhaltung stabiler elektrischer Eigenschaften über lange Betriebszeiten besonders wichtig, da hohe Anforderungen an Zuverlässigkeit und Haltbarkeit gestellt werden.
Durch die Kombination von geringeren Verlusten mit höherer Konsistenz und Langzeitstabilität sollen die neuen SiC-MOSFETs die Haltbarkeit und Betriebsleistung von xEV-Wechselrichtern und eAxle-Systemen verbessern.
Mitsubishi Electric plant, die Bare-Dies der fünften Generation von SiC-MOSFETs auf der PCIM Expo & Conference 2026 in Nürnberg, Deutschland, sowie auf anderen Branchenmessen in Japan, China und anderen internationalen Märkten zu präsentieren. Das Produkt erweitert das Siliziumcarbid-Portfolio des Unternehmens für die nächste Generation von Automobil-Elektrifizierungsanwendungen.
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