de.wedoany.com-Bericht: ROHM Semiconductor hat die AG16xFNxx-Serie von 80-V-Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die speziell für 48-V-Bordnetze in Fahrzeugen optimiert sind. Die Bauteile dieser Serie wurden entwickelt, um den steigenden Leistungsanforderungen moderner Fahrzeuge gerecht zu werden und gleichzeitig die Effizienz zu verbessern sowie die Stellfläche von Leistungswandlerstufen zu verringern.
Mit der Umstellung der Automobilindustrie auf elektrische Architekturen mit höherer Leistung werden 48-V-Systeme zunehmend zu einer effektiven Alternative zu herkömmlichen 12-V-Netzen, insbesondere in Fahrzeugen der Oberklasse und elektrifizierten Fahrzeugen. Es wird erwartet, dass sich dieser Wandel in den kommenden Jahren beschleunigt, was die Nachfrage nach Leistungshalbleitern ankurbeln wird, die geringere Leitungs- und Schaltverluste aufweisen als die derzeit häufig verwendeten 100-V-MOSFETs. ROHM Semiconductor hat die AG16xFNxx-Serie entwickelt, um diesen Anforderungen gerecht zu werden, indem es speziell auf den 48-V-Fahrzeugspannungsbereich zugeschnittene 80-V-Bauteile anbietet.
Die neuen MOSFETs sind in zwei kompakten Gehäuseoptionen erhältlich: dem HPLF5060-Gehäuse (Abmessungen 4,9 mm × 6,0 mm) und dem DFN3333-Gehäuse (Abmessungen 3,3 mm × 3,3 mm). Im Vergleich zu herkömmlichen Automobil-MOSFET-Gehäusen wie dem TO-252-Gehäuse (Abmessungen 6,6 mm × 10,0 mm) bieten beide Gehäuse eine deutliche Größenreduzierung. Die kleinere Stellfläche ermöglicht es Entwicklern, die Leistungsdichte zu erhöhen und die Gesamtabmessungen von elektronischen Steuergeräten und Leistungsmodulen zu reduzieren.
ROHM Semiconductor setzt Gehäusetechnologien ein, die auf eine verbesserte Zuverlässigkeit und thermische Leistung abzielen. Das HPLF5060-Gehäuse verwendet Gull-Wing-Anschlüsse, die die Robustheit der Lötstellen verbessern; das DFN3333-Gehäuse nutzt die benetzbare Flankentechnologie (Wettable Flank Technology), die eine automatische optische Inspektion ermöglicht und die Zuverlässigkeit der PCB-Verbindung erhöht. Darüber hinaus verwenden diese Bauteile die Kupfer-Clip-Verbindungstechnologie (Copper Clip Junction Technology), die die Wärmeableitung verbessert und es den MOSFETs ermöglicht, unter anspruchsvollen Fahrzeugbedingungen einen hohen Strombetrieb zu unterstützen.
Alle Produkte der AG16xFNxx-Serie erfüllen den Automobil-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 und eignen sich daher für Fahrzeuganwendungen mit hohen Anforderungen an Sicherheit und Zuverlässigkeit. Typische Anwendungsszenarien umfassen Steuerschaltungen für Hauptwechselrichter, Elektromotoren, elektronische Wasserpumpen und andere Subsysteme, die auf einer 48-V-Fahrzeugarchitektur betrieben werden.
Die Serienproduktion des AG160FNS4FRA im HPLF5060-Gehäuse und des AG166FNH7FRA im DFN3333-Gehäuse begann im April 2026. ROHM Semiconductor plant zudem, das Produktportfolio um weitere Bauteile zu erweitern und entwickelt derzeit Hochleistungsmodelle im TOLG-Gehäuseformat. Die neuen Produkte gehören zur EcoMOS-Serie von Silizium-Leistungs-MOSFETs des Unternehmens, die energieeffiziente Schaltlösungen für Automobil-, Industrie- und Consumer-Anwendungen bieten soll.
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