Chinas ChangXin Technology bringt DRAM-Technologieplattform der fünften Generation offiziell in Serienproduktion – Wafer-Ausbeute steigt um über 50 %

de.wedoany.com-Bericht: Am 20. September gab ChangXin Technology auf der World Manufacturing Convention 2026 die offizielle Serienproduktion der Technologieplattform der fünften Generation bekannt. Das Unternehmen teilte mit, dass die Plattform den halben Abstand der aktiven Bereiche des Speicherarrays auf 11,95 Nanometer reduziert, das Tiefen-Breiten-Verhältnis der Speicherkondensatoren 45:1 erreicht und die Höhe des zentralen kinetischen Bereichs auf 6762 Nanometer gesenkt hat; nach der Erhöhung der Speicherdichte liegt die Ausbeute pro Wafer unter gleichen Bedingungen um mehr als 50 % über der der vorherigen Generation.

Im Juli dieses Jahres führte ChangXin Technology die Technologieplattform der fünften Generation auf einer Investorenkonferenz anlässlich des Börsengangs noch als Forschungs- und Entwicklungsprojekt auf. Damals wurde mitgeteilt, dass die Plattform eine weiter optimierte Mehrfachbelichtungstechnik einsetzt, deren Hauptziel die weitere Erhöhung der Speicherdichte und der Array-Leistung ist. Die nun auf der World Manufacturing Convention bekannt gegebene offizielle Serienproduktion markiert den Übergang der Plattform von der Forschungs- und Entwicklungsphase in die Produktionsphase.

ChangXin Technology hat zuvor bereits die Serienproduktion der Technologieplattformen der ersten bis vierten Generation abgeschlossen, wobei die Plattform der vierten Generation bereits für Produkte wie DDR5 und LPDDR5/5X eingesetzt wird. Aus dem Halbjahresbericht 2026 des Unternehmens geht hervor, dass die Prozessplattform der vierten Generation Transistoren mit niedrigem Leckstrom und hoher Leistungsfähigkeit zur Steuerung, verschiedene verfeinerte Dünnschichtabscheidungsverfahren sowie verbesserte Reinigungsprozesse einsetzt und bereits in die Serienproduktion eingetreten ist; die Plattform der fünften Generation verwendet darüber hinaus eine weiter optimierte Mehrfachbelichtungstechnik.

Das auf Basis der Plattform der fünften Generation entwickelte 24-GB-LPDDR5X-Produkt ist bereits in die offizielle Serienproduktion eingetreten und wird nun in inländischen Flaggschiff-Smartphones der Hauptmarken eingesetzt. Die derzeitigen LPDDR5X-Produkte von ChangXin Technology decken Kapazitäten von 12 GB, 16 GB und 24 GB ab; die Produkte mit 8533 Mbps und 9600 Mbps sind bereits in Serienproduktion, und für das Produkt mit 10667 Mbps wurde ebenfalls bereits die Kundenbemusterung gestartet.

Im Bereich mobiler Speicherprodukte treibt ChangXin Technology zudem die Serienproduktion von Produkten höherer Generationen voran. Am 7. September gab das Unternehmen bekannt, dass das selbst entwickelte LPDDR6 die Serienproduktion und kommerzielle Nutzung erreicht hat; die erste Produktcharge verwendet einzelne 16-Gb-Chips mit einer Packungskapazität von 16 GB, erreicht eine Spitzenübertragungsrate von 12800 Mbps und ist bereits in Flaggschiff-Smartphones verbaut.

Aus dem Halbjahresbericht 2026 von ChangXin Technology geht hervor, dass die DRAM-Produkte des Unternehmens derzeit die Märkte für mobile Geräte, Server und Personal Computer abdecken, wobei LPDDR5/5X bereits in die Lieferkette von Endmarken wie Xiaomi und Transsion eingetreten ist, während DDR5 hauptsächlich auf die Server- und PC-Märkte ausgerichtet ist. Nach der Serienproduktion der Technologieplattform der fünften Generation wird das Unternehmen die Prozesseinführung bei Produkten wie hochdichtem LPDDR5X, LPDDR6 und DDR5 weiter vorantreiben.