Vor Kurzem wurde in der Hightech-Zone Hefei offiziell das Anhui Jingmei Photomask Semiconductor Integrated Circuit Project mit einer Gesamtinvestition von 12 Milliarden Yuan gestartet.

Das Projekt für integrierte Halbleiterschaltkreise liegt an der südöstlichen Ecke der Kreuzung von Fuxing Road und Huolongdi Road. Es erstreckt sich über eine Fläche von rund 45,6 Mu (ca. 1,6 Acres) und konzentriert sich auf die Forschung, Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Halbleiter-Fotomasken mit 28 nm und mehr. Laut einer Pressemitteilung von Hefei umfasst die erste Phase des Projekts den Bau einer neuen, hochautomatisierten Produktionslinie mit hohem Standard. Die Produktion soll 2027 beginnen und bei voller Auslastung eine monatliche Produktionskapazität von 3.200 Wafern erreichen.

Nach Abschluss des Projekts wird es Chinas langfristige Abhängigkeit von Importen hochwertiger Fotomasken verringern, die inländische Produktion der Industriekette verbessern und die unabhängig kontrollierbaren Kapazitäten stärken. Derzeit wurde das Projekt „Halbleiter-Hochleistungsfotomaske (Phase I)“ der Anhui Jingmei Photomask Co., Ltd. erfolgreich für die Aufnahme in die zweite Gruppe der Schlüsselprojektliste 2025 der Provinz Anhui ausgewählt.

Anhui Jingmei Photomask ist ein inkubiertes Unternehmen der Hefei Jinghe Integrated Circuit Co., Ltd., das sich auf die Entwicklung der integrierten Schaltkreisindustrie und die Förderung der industriellen Modernisierung von „führenden Unternehmen“ konzentriert. Es verfügt über eine ausgereifte Produktionslinie und konnte im Juli 2024 die erste Fotomaske in der Provinz erfolgreich vom Band laufen lassen. Im Oktober desselben Jahres ging die erste Charge von Fotomaskenprodukten in die Massenproduktion.

Ende Juli dieses Jahres veröffentlichte Jinghe Integrated eine Ankündigung, in der es ankündigte, dass das Unternehmen plant, sein Maskengeschäft über Anhui Jingmei Mask Co., Ltd. unabhängig zu betreiben. Anhui Jingmei wird eine Maskenproduktionslinie aufbauen, die sich auf die Produktion und Herstellung von Halbleitermasken mit 28-nm-Prozessknoten und höher konzentriert.

In den letzten Jahren hat sich die Halbleiterindustrie meines Landes rasant entwickelt. Als zentrales grafisches Element des Fotolithografieprozesses in der Halbleiterfertigung ist die Fotomaske eines der Schlüsselmaterialien für die Herstellung integrierter Schaltkreise. Ihre Bedeutung gewinnt immer mehr an Bedeutung, und die Marktnachfrage nach leistungsstarken und hochpräzisen Fotolithografiemasken wächst weiter.

Der Schwerpunkt der Hefei High-Tech-Zone liegt derzeit auf der integrierten Schaltkreisindustrie. Die Umsetzung dieses Projekts für Kristallmagnesiummasken stellt nicht nur einen Durchbruch in der High-Tech-Fertigung hochwertiger Masken dar, sondern stärkt auch ein wichtiges Glied in der Halbleiterindustriekette und verleiht den Bemühungen der High-Tech-Zone, ein nationales Zentrum der Halbleiterindustrie aufzubauen, starken Schwung.