de.wedoany.com-Bericht: Navitas Semiconductor hat auf der Computex 2026 in Taipeh eine 800-Volt-zu-6-Volt-Gleichstrom-Gleichstrom-Stromversorgungsplatine für die NVIDIA MGX-Plattform vorgestellt. Das Produkt nutzt die GaNFast-Technologie und ermöglicht es, die herkömmliche 48-Volt-Zwischenbus-Wandlerstufe im Server-Tray zu überspringen, wodurch die Systemeffizienz und Zuverlässigkeit verbessert und Platz gespart wird.
Die Stromversorgungsplatine verwendet 16 GaNFast-FETs mit einer Nennspannung von 650 Volt und einem Einschaltwiderstand von 11 Milliohm, die im neuesten DFN8×8-Doppelkühlgehäuse untergebracht sind. Die angestrebte Spitzeneffizienz beträgt 97,5 % bei einer Arbeitsfrequenz von 1 Megahertz und einer Leistungsdichte von 2100 Watt pro Kubikzoll. Ihr ultradünnes Profil ist etwa 20 % dünner als ein Smartphone und ermöglicht eine extrem nahe Integration mit der Grafikprozessorplatine, um die Einschwingleistung zu optimieren und die Verteilungseffizienz zu verbessern.
Chris Allexandre, Präsident und CEO von Navitas Semiconductor, erklärte, dass mit der kontinuierlichen Ausweitung der KI-Workloads und der daraus resultierenden beispiellosen Rechenanforderungen die Stromversorgung zu einer zentralen Herausforderung für die nächste Generation von Gigawatt-KI-Fabriken geworden sei. Durch die Zusammenarbeit mit dem NVIDIA MGX-Ökosystem liefere Navitas Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Leistungstechnologien, die Megawatt-KI-Server-Racks eine höhere Leistungsdichte, einen geringeren System-Fußabdruck und verbesserte thermische Eigenschaften verleihen und so den Übergang zu einer effizienteren und skalierbaren KI-Infrastruktur beschleunigen.
Navitas Semiconductor bietet ein umfassendes Portfolio an Breitband-Leistungstechnologien, das die Grundlage für die KI-Fabrik-Infrastruktur der nächsten Generation bildet. Die GeneSiC-Siliziumkarbid-Lösungen unterstützen eine effiziente Stromversorgung vom Netz bis zum Computer-Rack, einschließlich wichtiger Anwendungen wie Festkörpertransformatoren. Zu den Produkten gehören Siliziumkarbid-Leistungsmodule mit Ultrahochspannung von 2300 Volt und 3300 Volt sowie Hochleistungs-Dreiphasen-Stromversorgungseinheiten, die auf 1200-Volt-Siliziumkarbid-MOSFETs der neuesten fünften Generation basieren. Diese Technologien tragen gemeinsam dazu bei, die Effizienz, Leistungsdichte und Systemzuverlässigkeit von Rechenzentren zu verbessern.
Die GaNFast-Technologie von Navitas ermöglicht eine hochfrequente, effiziente Gleichstrom-Gleichstrom-Wandlung, um den schnell wachsenden Strombedarf von KI-Grafikprozessoren zu decken. Durch die hervorragenden Schalteigenschaften von Galliumnitrid kann die Lösung bei Frequenzen im Megahertz-Bereich arbeiten und bietet eine höhere Leistungsdichte und schnellere Einschwingreaktionen, sodass Strom effizient direkt von der Rack-Ebene zum Grafikprozessor geliefert werden kann.
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