de.wedoany.com-Bericht: Am 15. Juni wurde Iron Device (Iron Device) als gemeinsames Forschungsinstitut für ein staatlich gefördertes Projekt ausgewählt, das sich der Entwicklung von eingebetteten Leistungsmodultechnologien für Antriebsschaltungen von Elektrofahrzeugen widmet.

Das Konsortium wird Galliumnitrid (GaN)-Module für Elektrofahrzeuge in einer 650-Volt (V)-Umgebung entwickeln. Die leitende Einrichtung Semi-Powerex ist für die Modulintegration verantwortlich. Das Korea Electronics Technology Institute (KETI), das Korea Automotive Technology Institute (KATECH), die Seoul National University, die Hanyang University und Iron Device nehmen als gemeinsame Forschungsinstitute teil. Das Projekt läuft etwa dreieinhalb Jahre bis zum 31. Dezember 2029 und hat ein Gesamtbudget von rund 8,3 Milliarden KRW.

Iron Device wird einen 2500-Volt (V)-Doppelkanal-GaN-Gate-Treiber mit galvanischer Trennung entwickeln. GaN-Bauelemente werden in Hochgeschwindigkeits-Schaltnetzteilen eingesetzt, darunter Stromversorgungen für Rechenzentren, Schnellladegeräte für Elektrofahrzeuge und Industrienetzteile. Der Gate-Treiber steuert die Schaltvorgänge der GaN-Bauelemente. Der Gate-Treiber unterstützt Treiberströme von 5 Ampere (A) und 7 A und verwendet ein Gehäuse, das einer Durchbruchspannung von 2500 V standhält.

Das Unternehmen plant, die Technologie auf Onboard-Ladegeräte (OBC) für Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen für Elektrofahrzeuge, Gleichspannungswandler (DC-DC) für Rechenzentren und Wechselrichter für Energiespeichersysteme (ESS) auszuweiten.

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