Micron Technology kündigt Investitionsplan von über 250 Milliarden US-Dollar in den USA an

de.wedoany.com-Bericht: Micron Technology hat einen langfristigen Investitionsplan in den USA bekannt gegeben, der über 250 Milliarden US-Dollar beträgt – eine deutliche Steigerung gegenüber dem Ziel von 200 Milliarden US-Dollar im Vorjahr. Dieser Plan zielt darauf ab, 40 % der DRAM-Produktion (Dynamic Random Access Memory) des Unternehmens in die USA zu verlagern.

Am 9. Juli gab Micron Technology bekannt, dass das Unternehmen bis 2035 über 250 Milliarden US-Dollar in den USA investieren will, um Fabriken zu bauen und Technologien zu entwickeln. Zu den konkreten Projekten gehören der Bau einer zweiten hochmodernen Speicherchip-Fertigungsanlage in Boise, Idaho, sowie der Ausbau einer bestehenden Anlage in Manassas, Virginia. Darüber hinaus fließen mehrere zehn Milliarden US-Dollar in die Technologieforschung und -entwicklung.

Im Rahmen dieses Investitionsplans kündigte Micron Technology Investitionen von bis zu 3 Milliarden US-Dollar in den USA an, um das Ökosystem der US-Halbleiterlieferkette zu stärken, wichtige Halbleiterfertigungskapazitäten für zukünftige technologische Innovationen aufzubauen und die Nachfrage nach fortschrittlichem Speicher für „Künstliche Intelligenz+“ sowie andere datenintensive Anwendungen zu decken. Davon fließen 500 Millionen US-Dollar in die strategische Finanzierung von GlobalWafers, um den Bau einer 300-mm-Primär-Siliziumwafer-Fertigungsanlage in Sherman, Texas, zu unterstützen. Die beiden Unternehmen haben außerdem ein zehnjähriges Lieferabkommen unterzeichnet, das Micron eine ausreichende Siliziumwafer-Kapazität sichert, und planen eine Zusammenarbeit bei der Entwicklung der nächsten Wafer-Generation sowie bei Prozessinnovationen.

Zum Handelsstart am 9. Juli stieg die Aktie von Micron Technology um über 7 %, bei einer Marktkapitalisierung von 1,2 Billionen US-Dollar.

Vor der Bekanntgabe dieses Investitionsplans hatte die südkoreanische Regierung am 29. Juni gemeinsam mit der Samsung Group und der SK Group einen Unternehmensinvestitionsplan im Inland in Höhe von insgesamt 4.755 Billionen Won bekannt gegeben, der sich auf drei Kernbereiche konzentriert: Halbleiter, physische KI und „KI-Rechenzentren“. Im Südwesten Südkoreas ist die Investition von 800 Billionen Won (etwa 5,18 Billionen US-Dollar) für den Bau von vier Halbleiterfabriken geplant, wobei Samsung Electronics (005930.KS) und SK Hynix (000660.KS) jeweils zwei Fabriken übernehmen. Konkret plant SK Hynix, 1.100 Billionen Won zu investieren, um das Angebot an DRAM- und NAND-Flash-Speicher zu erweitern, während Samsung 400 Billionen Won in den Bau einer neuen Wafer-Fabrik in Gwangju sowie 56 Billionen Won in den Bau einer neuen HBM-Fabrik (High Bandwidth Memory) in Cheonan und Onyang investieren will.

Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology sind die drei größten DRAM-Hersteller weltweit. Diese Investitionspläne zeigen die Entschlossenheit der internationalen DRAM-Hersteller, ihre Speicherkapazitäten auszubauen und die heimische Fertigung zu stärken. Xu Jiayuan, Analyst bei TrendForce, erklärte, dass die Kapazitätserweiterungspläne der einzelnen Anbieter letztlich von der konkreten Umsetzung und der Kundenstruktur abhängen werden.

Der chinesische DRAM-Hersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) hat das IPO-Verfahren an der STAR-Market eingeleitet und plant, 29,5 Milliarden Yuan (etwa 4,1 Milliarden US-Dollar) zu beschaffen. Die Mittel sollen für die technologische Aufrüstung von DRAM-Speicher, die Erforschung und Entwicklung zukunftsweisender Technologien sowie die Modernisierung der Massenproduktionslinien für Wafer-Fertigung verwendet werden.