de.wedoany.com-Bericht: Der weltweit tätige Foundry für Spezialtechnologien Tower Semiconductor hat angekündigt, mit einer Förderung von 1 Milliarde US-Dollar durch das japanische Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie einen zweigleisigen strategischen Expansionsplan zu starten, der sich auf die Steigerung der Kapazitäten für 300-mm (12-Zoll) Siliziumphotonik (SiPho), Silizium-Germanium (SiGe) und fortschrittliche Verpackungstechnologien konzentriert.
Laut Plan wird Tower Semiconductor rund 3 Milliarden US-Dollar (etwa 20,295 Milliarden RMB) investieren, um seine 12-Zoll-SiPho-, SiGe- und fortschrittlichen optischen Verpackungskapazitäten in Japan umfassend auszubauen. Dies soll dem Wachstum des Marktes für schnelle optische Verbindungen Rechnung tragen, das durch den explosionsartigen Anstieg der Rechenleistungsanforderungen von Künstlicher Intelligenz und Rechenzentren angetrieben wird.
Der Expansionsplan wird in zwei Phasen umgesetzt. Die erste Phase konzentriert sich auf die deutliche Steigerung der Produktionskapazität für 12-Zoll-SiPho-Bauelemente, die voraussichtlich im vierten Quartal 2027 vollständig in Betrieb genommen wird. Diese Phase umfasst die Umrüstung des Werks Arai in der Präfektur Niigata (ehemals Fab 6), um dort Kapazitäten für 12-Zoll-SiPho-Bauelemente und fortschrittliche Verpackungstechnologien zu schaffen. Gleichzeitig wird eine Synergie mit dem Werk Fab 7 in Uozu, Präfektur Toyama, angestrebt, um die 12-Zoll-Kapazitäten maximal auszuschöpfen. Basierend auf den Wachstumsaussichten der ersten Phase hat Tower Semiconductor seine langfristigen Finanzziele nach oben korrigiert und plant, bis 2028 einen Umsatz von 3,6 Milliarden US-Dollar und einen Nettogewinn von 1,2 Milliarden US-Dollar zu erzielen.
Die zweite Phase beginnt zeitgleich mit der ersten Phase und umfasst den Bau einer neuen 12-Zoll-Halbleiterfertigungsanlage neben dem Werk Fab 7. Der offizielle Baubeginn erfolgt nach Unterzeichnung und Abschluss der entsprechenden Vereinbarungen. Nach Inbetriebnahme dieser Anlage wird erwartet, dass sich die SiPho- und SiGe-Produktionskapazitäten von Tower Semiconductor vervielfachen, um die schnell wachsende Kundennachfrage in KI- und Rechenzentrumsanwendungen zu decken und die Entwicklung der nächsten Generation optischer Verbindungstechnologien voranzutreiben.
Tower Semiconductor erklärte, dass der Aufbau fortschrittlicher SiPho- und SiGe-Fertigungskapazitäten in Japan nicht nur das japanische Halbleiter-Ökosystem und die Resilienz der Lieferkette stärke, sondern auch langfristige Werte für das Unternehmen und die lokale Industrie schaffe.
