Samsung aus Südkorea plant, die 3-Nanometer-Fertigung von TSMC für die Produktion von NVIDIA-kundenspezifischen HBM-Chips einzusetzen

de.wedoany.com-Bericht: Am 18. Oktober zeigen Informationen aus der südkoreanischen Halbleiterindustrie, dass Samsung Electronics plant, den 3-Nanometer-Prozess von TSMC für die Produktion der Basis-Dies des nächsten kundenspezifischen High-Bandwidth-Memory NVHBM von NVIDIA einzusetzen. NVIDIA hat Samsung Electronics, SK Hynix und Micron aufgefordert, einheitlich den 3-Nanometer-Fertigungsprozess von TSMC für die Herstellung der Basis-Dies zu verwenden und für die Produktion der Kernspeicher-Dies den 1c-DRAM-Prozess der sechsten Generation in der 10-Nanometer-Klasse einzusetzen. Samsung soll diese Anforderungen nach interner Prüfung akzeptiert haben, und beide Seiten planen, erstmals im HBM-Chipfertigungsbereich zusammenzuarbeiten.

Samsung verwendete bisher ein eigenes Fertigungsmodell, bei dem die unternehmenseigene Wafer-Foundry-Sparte die HBM-Basis-Dies produzierte und die Speichersparte für die Herstellung der Kern-Dies verantwortlich war. Derzeit werden bei Samsungs HBM4 sowie beim HBM4E-Produkt, das sich in der Massenproduktionsvalidierung befindet, die Basis-Dies im eigenen 4-Nanometer-Prozess gefertigt, während die Kern-Dies auf den 1c-DRAM-Produktionslinien der Werke Hwaseong und Pyeongtaek hergestellt werden. Gemäß dem nun offengelegten Plan wird Samsung das eigene Fertigungsmodell bei Standard-HBM sowie bei kundenspezifischen Produkten für andere Kunden wie AMD beibehalten.

NVIDIA stellte die NVHBM-Technologie am 26. August vor, bei der ein kundenspezifischer Speichercontroller in das HBM-Basis-Die integriert wird. Nach dem veröffentlichten Architekturdesign kann NVHBM im Vergleich zu Standard-HBM4E die Speicherbandbreite pro Stack um bis zu 30 % steigern, den HBM-Stromverbrauch um 15 % senken und bis zu 25 % der XPU-Rechenchip-Fläche freisetzen. NVIDIA plant, NVHBM-Produkte mit einheitlicher Architektur von mehreren Speicheranbietern bereitzustellen, um den Anpassungs- und Validierungsaufwand für Produkte verschiedener Hersteller zu reduzieren.

Samsung und TSMC hatten zuvor im Bereich der fortschrittlichen Verpackungstechnologie, die für die Verbindung von HBM mit Grafikprozessoren erforderlich ist, eine Kompatibilitätszusammenarbeit durchgeführt. Die nun vorgeschlagene Fertigungsvereinbarung dehnt die Zusammenarbeit auf die Produktion der Basis-Dies aus. Vertreter der südkoreanischen Halbleiterindustrie teilten zudem mit, dass Samsung derzeit die Machbarkeit prüft, NVHBM-Basis-Dies mit dem eigenen 2-Nanometer-Foundry-Prozess herzustellen, um möglichen Kapazitätsengpässen der betreffenden TSMC-Produktionslinien in der Zukunft zu begegnen.