Die Magnachip Semiconductor Corporation hat kürzlich eine neue IGBT-Serie speziell für Solarwechselrichter und industrielle Energiespeichersysteme (ESS) vorgestellt. Fortschrittliche Halbleitertechnologie ist entscheidend, da die Nachfrage nach hoher Effizienz und Leistungsdichte in diesen Anwendungsbereichen stetig wächst.

Die Serie umfasst eine neue Generation diskreter IGBTs mit Nennspannungen von 650 V und 1200 V, die speziell für Hochleistungswechselrichter und Energiespeichersysteme optimiert sind. Die Bauelemente sind in den Gehäusen TO-247 und TO-247-Plus erhältlich. Das Unternehmen plant die spätere Veröffentlichung eines TO-247-4-Gehäuses mit Kelvin-Pins zur weiteren Verbesserung der Schaltleistung.

Durch den Einsatz fortschrittlicher Feldstopp-Trench-Technologie konnte der Zellabstand der neuen IGBT-Serie im Vergleich zur Vorgängergeneration um 40 % reduziert werden. Dies führt zu einer verbesserten Effizienz und Strombelastbarkeit bei gleicher Chipfläche. Gleichzeitig wurde die Leistung im Sperrbereich (RBSOA) um über 30 % verbessert, was einen stabilen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen mit hoher Spannung und hohem Strom gewährleistet. Diese Eigenschaften machen das Produkt besonders geeignet für Hochleistungsanwendungen mit hohen Anforderungen an Zuverlässigkeit und Effizienz.

Magnachip ist bereits ein bedeutender IGBT-Lieferant für zahlreiche nationale und internationale Hersteller von Solarwechselrichtern. Mit dieser Produkteinführung deckt das Unternehmen nun das gesamte Spektrum von Wechselrichtern für Privathaushalte bis hin zu Industrieanlagen mit bis zu 150 kW ab und bietet Kunden flexible Lösungen, die sich an die jeweiligen Betriebsbedingungen anpassen lassen.

Laut Plan wird Magnachip sein Produktportfolio im ersten Halbjahr 2026 weiter ausbauen, unter anderem um 650-V-Hochstromgeräte mit Nennströmen bis zu 150 A sowie um neue Produkte für die 750-V-Spannungsebene.