Ein Forschungsteam der UNIST hat kürzlich ein innovatives gelartiges Elektrolytmaterial entwickelt, das die Lebensdauer von Hochvoltbatterien für Elektrofahrzeuge (EV) mit Langstreckenbetrieb deutlich verlängern und deren Sicherheit verbessern kann. Hochvolt-Lithium-Ionen-Batterien (LIBs) speichern zwar mehr Energie, neigen aber bei Ladespannungen über 4,4 V zur Bildung reaktiver Sauerstoffspezies (ROS). Dies führt zu beschleunigter Alterung, verstärkter Quellung und einem höheren Explosionsrisiko. Der neu entwickelte, auf Anthracen basierende, halbfeste Gelelektrolyt (An-PVA-CN) verhindert di

Ein Forschungsteam der UNIST hat einen neuen Durchbruch in der Recyclingtechnologie erzielt, mit der über 95 % Nickel und Kobalt aus Altbatterien mit einer Reinheit von über 99 % zurückgewonnen werden können. Dieses innovative Verfahren überwindet die Grenzen herkömmlicher Nassrecyclingverfahren und bietet eine nachhaltigere und effizientere Lösung für die Batterierecyclingindustrie.

Ein Forschungsteam unter der Leitung von Professor Kim Jung-hwan und Professor Jung Chang-wook von der Graduate School of Semiconductor Materials and Devices Engineering am Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) entdeckte einen entscheidenden Fehler in der weit verbreiteten Feldeffektmobilitätsmessung (FEM) in der Halbleiterforschung und -entwicklung: Aufgrund der Bauelementstruktur kann der Messwert um bis zu 30-fach verstärkt werden, was zu einer Überschätzung der Bauelementleistung führt. Das Team veröffentlichte standardisierte Designrichtlinien in der Fachzeitschrift A

Ein gemeinsames Team des Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI) und des Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) in Korea hat erfolgreich eine Messschutztheorie (MP-Theorie) entwickelt und damit erstmals eine stabile Quantenschlüsselverteilung (QKD) in einer mobilen Umgebung ohne Messkorrektur erreicht. Die Forschung verifizierte die Machbarkeit des Verfahrens durch den lokalen Betrieb einer VCSEL-Quelle (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser) und einer Wellenplatte in einem 10 Meter langen Freiraumübertragungspfad. Selbst bei einer Dämpfung von 30 dB u

Mechatronische Materialien, die unter mechanischer Stimulation ohne externe Stromquelle Licht emittieren, sind eine beliebte Wahl für taktile Schnittstellensensoren der nächsten Generation und können in beißbaren Benutzerschnittstellen, der Bewegungsüberwachung im Gesundheitswesen und weiteren Bereichen eingesetzt werden. Ihr breites Emissionsspektrum kann jedoch die Sensorauflösung beeinträchtigen und Rauschen verursachen, weshalb dringend technologische Durchbrüche erforderlich sind.

Unter der Leitung von Professor Song Hyun-oh vom Fachbereich Informatik und Ingenieurwesen der Seoul National University entwickelte das Team erfolgreich die neue KI-Technologie KVzip. Diese Technologie komprimiert intelligent den Dialogspeicher von Chatbots, die auf großen Sprachmodellen (LLMs) basieren. Solche Chatbots werden häufig für Aufgaben mit langem Kontext eingesetzt, beispielsweise für ausführliche Dialoge und die Zusammenfassung von Dokumenten. Die Forschungsergebnisse wurden auf dem Preprint-Server arXiv veröffentlicht und geben der Entwicklung effizienter und skalierbarer KI-Dial

Das Team um Dr. Koo Ki-yong am Institut für Wasserstoffenergieforschung des Koreanischen Energieforschungsinstituts (Korean Energy Research Institute), gefördert vom Nationalen Forschungsrat für Wissenschaft und Technologie der USA, hat einen neuartigen Kupferkatalysator entwickelt, der die Effizienz der Umwandlung von Kohlendioxid (CO₂) in einen wichtigen Rohstoff für saubere Kraftstoffe deutlich verbessert. Dank einer optimierten Materialstruktur ermöglicht dieser Katalysator die hochselektive Erzeugung von Kohlenmonoxid (CO) bei einer niedrigen Temperatur von 400 °C und bietet damit eine ko

Einem Forschungsteam ist die laserinduzierte Oxid-Dotierungsintegration (LODI) erfolgreich gelungen. Mit diesem Verfahren lässt sich die Leitfähigkeit von Halbleitern durch einen einzigen Laserprozess verändern. So wird beispielsweise herkömmliches, elektronendotiertes Titandioxid (TiO₂) in einen lochdotierten p-Halbleiter umgewandelt. Die in der Fachzeitschrift *Small* veröffentlichte Studie wurde von Professor Kwon Hyuk-jun vom Institut für Elektrotechnik und Informatik des Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology geleitet.

Der natriumgekühlte schnelle Reaktor (SFR) der vierten Generation des Koreanischen Atomenergieforschungsinstituts(KAERI) kann metallischen Kernbrennstoff aus abgebranntem Kernbrennstoff verwenden. Allerdings können während der Herstellung ungewöhnliche Reaktionen zwischen dem Behälter (Tiegel) und dem Kernmaterial zu Prozessverlusten führen. Einem südkoreanischen Forschungsteam ist es kürzlich gelungen, ein neues Material zu synthetisieren, das dieses Problem lösen soll.

Ein Forschungsteam des Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) veröffentlichte seine Ergebnisse in *Advanced Materials* und präsentierte die Entwicklung einer ultraschnellen Mikrowellen-Sintertechnologie, die die Herstellungszeit von Festoxid-Elektrolyseuren von mehreren Stunden auf 70 Minuten reduziert. Diese Innovation senkt die Sintertemperatur von 1400 °C auf 1200 °C und reduziert so den Energieverbrauch und die Produktionskosten von Anlagen zur Erzeugung von grünem Wasserstoff signifikant.

Ein gemeinsames Forschungsteam der University of Ulsan Science and Technology und der Pohang University of Science and Technology unter der Leitung der Professoren Byungjo Kim und Jihwan An hat erfolgreich ein neuartiges Post-Doping-Plasma-Verfahren (PDP) entwickelt, das die Leistung von DRAM-Bauelementen (Halbleiterspeichern) deutlich verbessert. Mit der zunehmenden Miniaturisierung elektronischer Bauelemente sind Speicherhalbleiter wie DRAM mit Problemen wie Leckagen und reduzierter Stabilität konfrontiert, wodurch herkömmliche Fertigungstechnologien unzureichend werden.

Das College of Engineering der Seoul National University gab bekannt, dass ein Forschungsteam unter der Leitung von Professor Lee Cheol-ho vom Fachbereich Elektrotechnik und Informatik eine umfassende Roadmap zum Thema „Gate Stacking“ entwickelt hat. Als Kerntechnologie für zweidimensionale (2D) Transistoren rückt Gate Stacking in den Fokus der Halbleiterbauelemente der nächsten Generation. Die Forschungsergebnisse wurden in der Fachzeitschrift Nature Electronics veröffentlicht.