de.wedoany.com-Bericht: MACOM Technology Solutions hat ein neuartiges Chip-Level-Thermal-Via-Verfahren auf Basis seiner proprietären AlGaAs-Diodentechnologie vorgestellt. Dieses Verfahren leitet HF-Signale und Massepfade vertikal direkt durch den Halbleiterchip selbst und ersetzt damit herkömmliche Chip-Bonddraht-Verbindungen sowie kupferbasierte Oberflächenmontagetechnologien (SMT). Durch den Wegfall herkömmlicher externer Bonddrähte reduziert die Technologie die Montagekomplexität, verbessert die Fertigungskonsistenz und verringert parasitäre Induktivitäten und Widerstände, wodurch bei Millimeterwellenfrequenzen niedrige Einfügungsdämpfungen und hohe Isolation erreicht werden.
Mit der Verfahrensvorstellung bringt MACOM das erste Produkt auf den Markt, das diese Technologie nutzt: den MASW-011261, einen breitbandigen SP2T-Schalter, der im Bereich von 60 bis 110 GHz arbeitet. Der Schalter ist in einem kompakten Chip-Gehäuse von 1,87 mm x 1,98 mm untergebracht, weist eine typische Einfügungsdämpfung von 0,9 dB, eine Isolation von 30 dB und eine Schaltgeschwindigkeit von unter 20 ns auf. MACOM positioniert das Verfahren für Hochfrequenz-Steuerfunktionen, einschließlich Schaltern und Begrenzern, und wird die Technologie diese Woche auf dem International Microwave Symposium (IMS 2026) in Boston vorstellen.
Zu den Kernmerkmalen des Verfahrens gehören: vertikale Führung – HF-Signale und Massepfade werden direkt vertikal durch den AlGaAs-Chip geführt, wodurch herkömmliche Bonddrähte entfallen; Parasitärreduzierung – deutliche Verringerung parasitärer Effekte, die eine hohe Signalintegrität und zuverlässige Leistung tief im Millimeterwellenspektrum gewährleistet; erster Chip – eingeführt mit dem MASW-011261, einem Schalter mit 0,9 dB Einfügungsdämpfung und einer Schaltgeschwindigkeit von unter 20 ns; Zielanwendungen – maßgeschneidert für die Hochfrequenz-HF-Steuerungs-Infrastruktur, einschließlich Schaltern, Begrenzern sowie Luft- und Raumfahrt-/Verteidigungssystemen; Live-Demonstration – MACOM wird das Thermal-Via-Verfahren auf der IMS 2026 (9.–11. Juni) am Stand #17035 präsentieren.
Stephen G. Daly, Präsident und CEO von MACOM, erklärte, dass das neue AlGaAs-Verfahren auf Basis von Thermal Vias die Montagekomplexität reduzieren und gleichzeitig die Hochfrequenzleistung integrierter Komponenten verbessern könne. Während fortschrittliche Verpackungstechniken weiterhin die Diskussionen über Künstliche Intelligenz und Hochgeschwindigkeitsnetzwerke dominieren, unterstreicht die Ankündigung von MACOM, dass Verpackungsinnovationen auch im Bereich der ultrahohen HF- und Millimeterwellen gleichermaßen entscheidend sind. Herkömmliche Bonddrähte führen unvorhersehbare parasitäre Effekte ein, die Signale bei extrem hohen Frequenzen wie 100 GHz verschlechtern. Indem MACOM die Verbindungsarchitektur durch das Thermal-Via-Verfahren in den Chip verlagert, schließt das Unternehmen die Lücke zwischen den rohen Siliziumfähigkeiten und der praktischen Oberflächenmontagefertigung. Für Unternehmen, die sich mit der nächsten Generation von Satellitenkommunikation, 5G/6G-Funkrückverbindungen und Hochfrequenz-Radarhardware befassen, stellt dies einen bedeutenden Fortschritt bei der Montage von Hochfrequenzkomponenten mit hoher Ausbeute dar.
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