de.wedoany.com-Bericht: Applied Materials, Inc. hat zwei neue Chip-Herstellungssysteme vorgestellt, die darauf abzielen, die Herausforderungen der Präzisionsbearbeitung in fortschrittlichen 3D-Halbleiterstrukturen zu bewältigen. Die beiden Systeme, eines für die Abscheidung und eines für das Ätzen, helfen Chip-Herstellern, in den Bereichen Logik und Speicher eine weitere Miniaturisierung zu erreichen und bieten der nächsten Generation von KI-Chips höhere Leistung, bessere Energieeffizienz und verbesserte Fertigungsausbeuten.
Der Anstieg der KI-Berechnungen beschleunigt den Wandel der Branche hin zu fortschrittlichen 3D-Bauelementarchitekturen wie Gate-All-Around (GAA)-Transistoren und hochstapeligen 3D-NAND-Speichern. Da die Merkmale in diesen vertikalen Strukturen tiefer und schmaler werden, haben herkömmliche Abscheidungs- und Ätzprozesse Schwierigkeiten, das Material gleichmäßig von oben bis unten zu verteilen, was zu Abweichungen führt, die die elektrische Leistung und die Ausbeute beeinträchtigen. Um dieser Herausforderung zu begegnen, bringt Applied Materials das Centris™ Spectral™ SiN ALD- und das Producer™ Selectra™ Mo-Ätzsystem auf den Markt. Gemeinsam bieten diese beiden Systeme Chip-Herstellern eine präzise Kontrolle über die Abscheidung dielektrischer Schichten und die Metallentfernung in Strukturen mit hohem Aspektverhältnis, ermöglichen eine gleichmäßigere Materialtechnik, unterstützen die kontinuierliche 3D-Miniaturisierung und führen zu besserer Bauelementleistung, strengerer Prozesskontrolle und verbesserter Herstellbarkeit.
Dr. Prabu Raja, Präsident der Semiconductor Products Group bei Applied Materials, erklärte, dass die größten Chancen im Bereich der Materialtechnik liegen, während die Branche die Grenzen der KI-Berechnung vorantreibt. Chip-Hersteller benötigen neue Methoden, um Materialien in komplexen 3D-Architekturen präzise abzuscheiden und selektiv zu entfernen, und die neuen Systeme bieten differenzierte Fähigkeiten, die Kunden helfen, Miniaturisierungshürden zu überwinden und Innovationen zu beschleunigen. Das Centris Spectral SiN ALD-System nutzt innovative Hochdichte-Mikrowellenplasmatechnologie, um hochwertige Siliziumnitrid (SiN)-Schichten in tiefen, schmalen Strukturen abzuscheiden, wodurch der Kompromiss zwischen Plasmadichte und ioneninduzierten Schäden in herkömmlichen Verfahren beseitigt wird. Das System ermöglicht eine dichte, gleichmäßige SiN-Abscheidung bei niedrigen Temperaturen, geeignet für die kontinuierliche Miniaturisierung von DRAM- und Logikbauelementen, beispielsweise zur Bildung hochwertiger Kontaktpads in GAA-Transistoren zur Reduzierung von Widerstand und Kapazität. Das System basiert auf der neuen Spectral ALD-Plattform von Applied Materials, die ein hochmodernes Vier-Reaktor-Design mit präziser Chemikalienzufuhr, mehreren Plasma- und Wärmebehandlungsfähigkeiten sowie spezieller Hardware für zeitliche und räumliche ALD-Operationen verwendet, um eine Vielzahl fortschrittlicher Schichten für KI-Chips zu erzeugen. Das Spectral SiN ALD-System wird bereits von führenden Chip-Herstellern eingesetzt.
Das Producer Selectra Mo-Ätzsystem führt eine neue Fähigkeit zur selektiven Metallentfernung ein, die eine präzise, gleichmäßige Wortleitungstrennung im gesamten 3D-NAND-Stapel ermöglicht. Durch technische Prozesssteuerung und fortschrittliche Gaszufuhr überwindet das System die Einschränkungen des Nassätzens in tiefen Merkmalen und erzielt eine hervorragende Gleichmäßigkeit von oben nach unten sowie Profilgenauigkeit, was zur Reduzierung von Leckströmen und zur Verbesserung der Datenhaltbarkeit beiträgt. Das Selectra Mo-Ätzen ist in der Massenproduktion validiert, unterstützt den Übergang von herkömmlichen Nassprozessen zur nächsten Generation der 3D-NAND-Miniaturisierung und erweitert das Selectra-Portfolio von dielektrischen und Siliziumanwendungen auf fortschrittliche Metallintegration, was neue Möglichkeiten in den Bereichen NAND, DRAM und Foundry-Logik eröffnet.
Applied Materials wird diese Innovationen auf dem IEEE VLSI Technology & Circuits Symposium 2026 präsentieren und am 16. Juni eine Podiumsdiskussion darüber veranstalten, wie Systemarchitektur, Logik- und Speichertechnologien, fortschrittliche Verpackung und Fertigung gemeinsam optimiert werden können, um KI-gesteuerte Berechnungen voranzutreiben.
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