de.wedoany.com-Bericht: IQE und Tower Semiconductor haben eine mehrjährige Liefervereinbarung für Indiumphosphid (InP)-Epitaxiewafer unterzeichnet, die die Siliziumphotonik-Technologie für KI-gesteuerte Rechenzentrums-Infrastrukturen unterstützen soll. Die Vereinbarung positioniert IQE als strategischen Lieferanten für Towers Siliziumphotonik-Roadmap, mit Schwerpunkt auf optischen Verbindungslösungen, die die Bandbreitenanforderungen großer KI-Cluster erfüllen.
Gemäß der Vereinbarung wird IQE Towers mehrere fortschrittliche Siliziumphotonik-Plattformen mit InP-Epitaxiewafern beliefern. Die Zusammenarbeit umfasst Technologien für steckbare optische Transceiver mit 200 Gbit/s pro Kanal, die Entwicklung optischer Modulatoren der nächsten Generation mit 400 Gbit/s pro Kanal sowie optische Schalttechnologien für zukünftige Rechenzentrumsarchitekturen. Der Vertrag enthält Mindestabnahmeverpflichtungen von Tower sowie entsprechende Lieferzusagen von IQE und bietet einen Rahmen für die langfristige skalierte Produktion.
Die beiden Unternehmen haben zudem in einer separaten, unabhängigen Vereinbarung alle ausstehenden Streitigkeiten über geistiges Eigentum beigelegt. Im Rahmen des Vergleichs gewährt Tower IQE eine weltweite, lizenzgebührenfreie Lizenz für die zuvor in Rechtsstreitigkeiten involvierten Patente zu porösem Silizium, wodurch alle damit verbundenen rechtlichen Schritte eingestellt werden.
Jutta Meier, CEO von IQE, erklärte, dass die Vereinbarung die Position von IQE im globalen Markt für Hyperscale-Cloud- und KI-Infrastrukturen der Spitzenklasse stärke. Mit jahrzehntelanger Erfahrung in der InP-Epitaxie-Technologie und ausgereiften Fertigungskapazitäten im großen Maßstab sei IQE bereit, die nächste Generation optischer Verbindungsanwendungen von der Innovationsphase bis zur kommerziellen Einführung zu unterstützen.
In der Siliziumphotonik spielt InP weiterhin eine entscheidende Rolle bei leistungsstarken optischen Funktionen wie Lasern und Modulatoren. Die von IQE und Tower diskutierte Roadmap entspricht dem Branchentrend, der von der aktuellen Architektur mit 100 Gbit/s pro Kanal zu optischen Engines mit 200 Gbit/s und schließlich 400 Gbit/s pro Kanal übergeht, um die nächste Generation von KI-Clustern zu unterstützen. Die Ankündigung festigt zudem die Position von Tower Semiconductor im Bereich der Siliziumphotonik-Auftragsfertigung. Da Hyperscale-Cloud-Anbieter, optische Modulhersteller und Netzwerkausrüster nach alternativen Fertigungsmodellen suchen, hat Tower sein Siliziumphotonik-Portfolio erweitert. Die Beilegung des Patentstreits um poröses Silizium beseitigt potenzielle Störungen und schafft eine breitere technologische Kooperationsbasis zwischen den beiden Unternehmen, während die Nachfrage nach optischen Verbindungen, optischem Switching und Co-Packaged-Photonik-Technologien zunimmt.
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