de.wedoany.com-Bericht: United Monolithic Semiconductors (UMS) stellt den dreistufigen Hochleistungsverstärker CHA8265-98F vor, der im Frequenzbereich von 27,5 GHz bis 31 GHz arbeitet und für Ka-Band-Satellitenkommunikation, 5G-Infrastruktur sowie andere Mikrowellensysteme entwickelt wurde, die hohe Ausgangsleistung und Effizienz erfordern.

Bei einer Drain-Spannung von 25 V liefert der Verstärker eine typische Sättigungsausgangsleistung von 25 W mit einem Wirkungsgrad der Leistungszusatzeffizienz (PAE) von etwa 30 %. Unter linearen Arbeitsbedingungen bietet er eine Ausgangsleistung von 10 W bei einem Intermodulationsverzerrung dritter Ordnung von -25 dBc, wobei die PAE über 25 % bleibt. Laut UMS unterstützt das Bauteil einen Drain-Vorspannungsbereich von 18 V bis 25 V, wodurch je nach Betriebsspannung eine Sättigungsausgangsleistung von 15 W bis 25 W erreichbar ist.

Der CHA8265-98F wird in GaN-on-SiC-HEMT-Technologie hergestellt, einem häufig für Hochfrequenz- und Hochleistungs-HF-Anwendungen eingesetzten Halbleiterverfahren. Das Bauteil wird als nackter Chip angeboten, wobei Ein- und Ausgang auf 50 Ω angepasst sind, was die Integration in verschiedene Mikrowellensystemdesigns erleichtert.

Laut UMS ist der Verstärker für Satellitenkommunikationsterminals, 5G-Funkgeräte und andere Mikrowellenplattformen konzipiert, die eine hohe Ausgangsleistung im Ka-Band-Spektrum benötigen. Die Kombination aus Ausgangsleistung, Effizienz und Arbeitsbandbreite soll Systementwickler bei der Entwicklung der nächsten Generation von drahtlosen und Satellitenkommunikationsgeräten unterstützen.