de.wedoany.com-Bericht: Mit Beginn der zweiten Jahreshälfte prognostizieren mehrere Institute weiterhin steigende Durchschnittspreise für Speicher, während der Markt allgemein mit einem branchenweiten Angebotsengpass im Jahr 2027 rechnet.
Der Aufwärtstrend auf dem DRAM-Markt bleibt stabil. Anfang Juli 2026 erreichte der Preis für 16-Gb-DDR5 etwa 47 US-Dollar und damit ein Rekordhoch. Die Bank of America (BofA) analysierte in einem Bericht, dass die steigende Nachfrage nach KI-Rechenleistung und die anhaltende Verlagerung der Produktionskapazitäten hin zu HBM die beiden Hauptfaktoren für diese Entwicklung seien. Gleichzeitig senken die führenden Hersteller die DDR4-Kapazitäten, während die nachgelagerten Kunden ihre Lagerbestände auffüllen, was den DDR4-Preis ebenfalls auf den Höhepunkt des aktuellen Zyklus treibt.
Auch im NAND-Flash-Bereich hält der starke Aufwärtstrend an. Der Vertragspreis für 512-Gb-NAND-Wafer liegt derzeit bei rund 25 US-Dollar und damit deutlich über dem Spotmarktpreis. Gemessen am zyklischen Tief von etwa 2,5 US-Dollar im Februar 2025 beträgt der kumulierte Anstieg fast das Zehnfache.
Für die zukünftige Entwicklung hat das Forschungsinstitut TrendForce seine Prognose für das Wachstum der durchschnittlichen Verkaufspreise (ASP) von NAND im zweiten Quartal 2026 leicht auf 55 % bis 60 % nach unten korrigiert; gleichzeitig wurde die Prognose für das vierte Quartal auf 10 % bis 15 % angehoben. Das Prognosemodell der BofA ist ähnlich, aber konservativer: Es schätzt das NAND-ASP-Wachstum im zweiten Quartal 2026 auf etwa 65 %, im dritten Quartal auf etwa 13 % und im vierten Quartal auf etwa 1 %.
Aus der Nachfrageperspektive wird erwartet, dass die vier großen US-Tech-Giganten – Amazon, Microsoft, Google und Meta – ihre gesamten Investitionsausgaben im Jahr 2026 im Jahresvergleich um etwa 80 % auf insgesamt rund 700 Milliarden US-Dollar erhöhen. Dieser Trend wird die langfristige Nachfrage nach Speicherprodukten in Rechenzentren weiter verstärken. Die BofA zeigt sich zuversichtlich hinsichtlich des Datenwachstums in den nächsten drei bis fünf Jahren und geht davon aus, dass die weltweite Datenmenge in Exabyte unter dem vielfachen Antrieb von Cloud-Daten-Uploads, der Verbreitung von KI-Training und Inferenzanwendungen sowie aufkommenden Bereichen wie „Physical AI“ mit einer jährlichen Wachstumsrate von über 25 % zunehmen wird. Dies bedeutet, dass der Speicherbedarf nicht nur auf das KI-Training beschränkt sein wird, sondern sich auch auf Inferenz- und Edge-Computing-Szenarien ausweiten wird, wodurch eine nachhaltigere und breitere Nachfragebasis entsteht.
Der BofA-Bericht hob zudem das explosive Wachstum von SanDisk im Bereich der Enterprise-SSDs hervor, dessen entsprechende Umsätze im Jahresvergleich um das Siebenfache gestiegen sind. SanDisk arbeitet derzeit an einer „High-Bandwidth-Flash“-Technologie, die darauf abzielt, eine DRAM-ähnliche Leistung zu deutlich geringeren Kosten als DRAM zu erzielen. Das Produkt soll voraussichtlich zwischen Ende 2026 und 2027 schrittweise auf den Markt kommen und könnte ein wichtiger Faktor im Enterprise-Speicherbereich werden.
Insgesamt lautet die Kernaussage der BofA, dass der aktuelle Speicherzyklus noch nicht seinen Höhepunkt erreicht hat. Angetrieben durch die KI- und Rechenzentrumsnachfrage befindet sich die Branche in einem strukturellen Aufwärtstrend, und der eigentliche Wendepunkt von Angebot und Nachfrage könnte erst in fernerer Zukunft liegen.
Bemerkenswert ist, dass chinesische Speicherhersteller ihre Forschungs- und Entwicklungsbemühungen bei der DDR5-DRAM-Technologie beschleunigen, um der schnell wachsenden Nachfrage aus den Bereichen KI, Enterprise Computing und Unterhaltungselektronik gerecht zu werden. Ihr technologisches Niveau nähert sich dem der drei globalen Speichergiganten Samsung Electronics, SK Hynix und Micron an. Laut einem Bericht von Yin Technology beschleunigt CXMT, der größte DRAM-Hersteller Chinas, die Entwicklung der DDR5-Technologie-Roadmap und hat bereits mit der Entwicklung und Massenproduktion von DDR5-DRAM-Modulen mit höheren Spezifikationen begonnen. Die neuesten DRAM-Module erreichen eine Übertragungsgeschwindigkeit von 8000 MT/s und decken 16-Gb- und 24-Gb-Chips ab. Gleichzeitig ist 32-Gb-DRAM in den Consumer-Markt eingetreten und ein wichtiger Treiber für die Aufwertung der heimischen Speicherindustrie in China.
