Samsung Electronics: Zweite Chipfabrik in Taylor soll Ende des Jahres in Betrieb gehen

de.wedoany.com-Bericht: Laut Samsung Electronics wird das zweite Foundry-Projekt des Unternehmens in Taylor, Texas, voraussichtlich Ende dieses Jahres in Betrieb gehen.

Samsung Electronics hielt am selben Tag eine Telefonkonferenz zu den Geschäftsergebnissen ab und stellte den Geschäftsentwicklungsplan für die zweite Jahreshälfte vor. Das Unternehmen erklärte, dass die derzeitige Ausweitung der Produktionskapazitäten für fortschrittliche Prozesse in den Foundries nicht mit der Nachfragewachstumsrate Schritt halten könne. Der Bau der ersten Foundry in Taylor schreite planmäßig voran, mit dem Ziel, die Produktion im Jahr 2026 aufzunehmen. Das Unternehmen bereite sich darauf vor, das zweite Foundry-Projekt in Taylor Ende dieses Jahres zu starten, und erwarte, dass die Fabrik im Jahr 2030 die Produktion aufnehmen werde, um die kontinuierlich steigende Nachfrage zu decken.

Samsung Electronics prognostiziert, dass sich die Angebotsknappheit bei Speicherchips im nächsten Jahr weiter verschärfen werde. Die Investitionen von Hyperscale-Cloud-Dienstanbietern in Künstliche Intelligenz (KI)-Infrastruktur würden die Nachfrage nach Servern, Solid-State-Laufwerken und High-Bandwidth Memory (HBM) weiter ankurbeln. Samsung gab an, bereits Verträge mit den fünf größten Rechenzentrumskunden weltweit abgeschlossen zu haben, und die Verhandlungen mit fünf weiteren großen KI-bezogenen Kunden befänden sich in der Endphase. Branchenkreise vermuten, dass es sich bei den von Samsung genannten „fünf größten Rechenzentrumskunden“ um Amazon Web Services, Microsoft, Google, Meta und Oracle handelt.

Samsung prognostiziert, dass der Umsatz mit der sechsten Generation von High-Bandwidth Memory (HBM4) im dritten Quartal im Vergleich zum Vorquartal um mehr als das Zweifache steigen werde, und der Anteil von HBM4 am gesamten HBM-Umsatz in der zweiten Jahreshälfte über 60 % betragen werde. Samsung kündigte an, den globalen Marktanteil von HBM in der zweiten Jahreshälfte auf ein Niveau zu heben, das dem von Synchronous Dynamic Random Access Memory (DRAM) entspricht. Im ersten Quartal dieses Jahres lag der globale DRAM-Marktanteil von Samsung Electronics bei 38 %.