de.wedoany.com-Bericht: Auf dem SAFE Forum 2026 im Samsung-Electronics-Gebäude in Seocho, Seoul, veröffentlichte Samsung Electronics am 1. Juli den Fahrplan für den neuen 2-nm-Prozess (Nanometer, ein Milliardstel Meter), Design-Technologie-Co-Optimierung (DTCO) und leistungsstarke SRAM. In Zusammenarbeit mit der südkoreanischen Regierungsinitiative „Manufacturing AI Transformation (M.AX) Alliance" sollen Edge-KI-Chips (Künstliche Intelligenz) entwickelt werden, um die Rolle der südkoreanischen Systemhalbleiterplattform zu stärken.
Shin Jong-shin, Leiter des Design Platform (DP)-Entwicklungsteams der Foundry-Sparte von Samsung Electronics, erklärte in seiner Keynote, dass Samsung Electronics seine Fähigkeiten zur Bewältigung der KI-Nachfrage verbessern und mithilfe des SAFE Forums die Kommunikation mit Kunden und Partnern verstärken werde. Man werde offiziell die Kundenkooperation aufnehmen, über die reine Auftragsfertigung hinausgehen und die Rolle der südkoreanischen Systemhalbleiterindustrieplattform stärken.
Park Sung-hyun, CEO des südkoreanischen KI-unternehmens ohne eigene Fertigung (Fabless) Rebellions, stellte vor, dass das Unternehmen auf Basis des 4-nm-Foundry-Prozesses und der fortschrittlichen Verpackungstechnologie von Samsung Electronics den neuronalen Netzwerkprozessor (NPU) „Rebel100" entwickelt habe. Man werde die Zusammenarbeit im KI-Halbleiterbereich fortsetzen, um souveräne KI aufzubauen. Jean Marie Brunet, Senior Vice President des globalen Unternehmens für elektronische Designautomatisierung (EDA) Siemens EDA, stellte ebenfalls Unterstützungsmöglichkeiten vor, um mithilfe der fortschrittlichen Prozesse von Samsung schnell KI- und Hochleistungsrechnen (HPC)-Halbleiter zu realisieren.
Neben der Ökosystem-Zusammenarbeit veröffentlichte Samsung Electronics auch einen maßgeschneiderten Prozess-Fahrplan für die KI-Halbleiternachfrage, darunter die DTCO-Technologie zur gleichzeitigen Optimierung von Design und Prozesstechnologie, die neue 2-nm-Prozesstechnologie sowie Pläne zur Steigerung der Wettbewerbsfähigkeit von leistungsstarkem SRAM. Ziel ist es, die Wettbewerbsfähigkeit in den Bereichen Leistung, Energieeffizienz und Fläche (PPA) zu verbessern. Das Unternehmen arbeitet mit der südkoreanischen Regierung und der Wissenschaft zusammen, um den Ausbau der nationalen Systemhalbleiter-Infrastruktur zu beschleunigen. Es beteiligt sich an der vom Ministerium für Handel, Industrie und Energie vorangetriebenen M.AX Alliance, um die Entwicklung von energieeffizienten, leistungsstarken Edge-AI-Halbleitern für Automobile, Haushaltsgeräte, Robotik und Verteidigung voranzutreiben. Gleichzeitig unterstützt Samsung Electronics weiterhin das Multi-Project-Wafer (MPW)-Programm, das die anfängliche Prototypenbelastung für inländische Fabless-Unternehmen reduziert, und beteiligt sich am Promotions- und Doktoranden-Ausbildungsprogramm „K-CHIPS".
Das diesjährige Forum unter dem Motto „Konnektivitätspunkt der Siliziumintelligenz" zog über 400 Teilnehmer von globalen Kunden und Partnern an. 21 Partner aus den Bereichen Electronic Design Automation (EDA), Design Intellectual Property (IP), Design Service Partner (DSP), Virtual Design Platform (VDP) und Advanced Packaging (MDI) präsentierten Lösungen an ihren Ständen. Ein Sprecher von Samsung Electronics erklärte, dass mit der Expansion des KI-Halbleitermarktes fortschrittliche Prozesstechnologien und die Fähigkeit zum Aufbau eines Ökosystems zu Kernwettbewerbsvorteilen würden. Um die Entwicklung des nationalen Systemhalbleiter-Ökosystems zu fördern und die Wettbewerbsfähigkeit im Foundry-Bereich zu stärken, werde Samsung Electronics weiterhin mit Kunden, Partnern und der Regierung zusammenarbeiten, mit Schwerpunkt auf den SAFE- und MPW-Programmen.
