de.wedoany.com-Bericht: SanDisk und Kioxia haben gemeinsam die zehnte Generation ihres 3D-NAND-Flash-Chips BiCS10 in die Musterphase gebracht. Der 1-Tb-TLC-Chip integriert 332 Speicherebenen in einem einzigen Die und erreicht eine Flächenbitdichte von über 29 Gb pro Quadratmillimeter – nach Angaben von SanDisk ein Branchenrekord.
Die Bitdichte des BiCS10 liegt 59 % über der des aktuell in Massenproduktion befindlichen Vorgängers BiCS8. Der Chip nutzt die CMOS-Direktbond-Array-Architektur von SanDisk und ist mit dem neuen Toggle-DDR6.0-Interface ausgestattet, das die Datenübertragungsrate auf 4,8 Gb/s erhöht – eine Steigerung von 33 % gegenüber der vorherigen Interface-Generation. Auch die Energieeffizienz wurde verbessert: Die Eingangsleistung liegt 10 % unter der des BiCS8, die Ausgangsleistung sogar 34 % darunter.
SanDisk hat eine Roadmap rund um diesen Chip erstellt und plant, bis 2026 eine 256-TB-SSD und bis 2027 ein 512-TB-Laufwerk auf den Markt zu bringen. Das Unternehmen deutete zudem Pläne für ein zukünftiges 1-PB-Rechenzentrumslaufwerk an, nannte jedoch noch kein konkretes Erscheinungsjahr. Diese Kapazitätssteigerungen setzen den Einsatz von QLC-Speicher voraus; SanDisk beabsichtigt, bis 2028 den Großteil seiner kapazitätsorientierten Produkte auf QLC umzustellen.
Der BiCS10 basiert auf einem 1-Tb-TLC-Die-Design. Die Kapazitätssteigerung wird durch Schichtstapelung und verbesserte laterale Skalierung erreicht. Die beiden Unternehmen erhöhen die Dichte durch mehr Ebenen, optimierte Layouts und neuartige Schaltungsdesigns, nicht durch eine höhere Anzahl von Bits pro Speicherzelle. Die neue Generation erreicht eine Datenübertragungsrate von 4,8 Gbit/s, während der Leseenergieverbrauch im Vergleich zum Vorgängerdesign um 29 % gesenkt wurde. Diese Verbesserungen zielen darauf ab, die Kapazität zu erhöhen, ohne Haltbarkeit und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.
Als Referenz dienen die Preise bestehender großer Enterprise-Laufwerke. Die Solidigm D5-P5336-Serie mit 122,88 TB wird derzeit im Einzelhandel für etwa 49.275 bis 64.168 US-Dollar angeboten. Hochgerechnet auf die Kosten pro Terabyte könnte SanDisks 512-TB-Laufwerk bei seiner Markteinführung im Jahr 2027 über 300.000 US-Dollar kosten. Der Wettbewerb in diesem Bereich bleibt intensiv: Kioxia, Samsung, Solidigm und Micron arbeiten alle an ähnlichen Zeitplänen, um vergleichbare Kapazitätsmeilensteine zu erreichen. Samsung hat separat bestätigt, dass es für etwa 2027 ein 512-TB-PCIe-6.0-Laufwerk plant, während für 2026 ein 256-TB-Gen-5-Produkt vorgesehen ist. Das NAND-Angebot bleibt angespannt; die Vertragspreise für Flash-Speicher werden voraussichtlich bis Mitte 2026 vierteljährlich um 70 % bis 75 % steigen, angetrieben durch die Unternehmensnachfrage im Zusammenhang mit generativer KI-Infrastruktur.
