de.wedoany.com-Bericht: Samsung Electronics bereitet den Bau einer neuen DRAM-Produktionsanlage im Giheung-Werk in Yongin, Provinz Gyeonggi, vor. Das Unternehmen plant, ein ursprünglich für den Bau eines Forschungs- und Entwicklungszentrums vorgesehenes Grundstück in eine Speicherproduktionsanlage umzuwandeln. Die neue Fabrik soll eine monatliche Kapazität von etwa 100.000 Wafern haben, die Investition könnte mehrere Billionen Won betragen, und der Baubeginn ist frühestens im dritten Quartal geplant. Samsung Electronics passt seine Baupläne vor allem an, um dem durch die beschleunigten globalen Investitionen in Künstliche Intelligenz-Infrastruktur bedingten Nachfragewachstum und der Marktverknappung bei Speicherchips zu begegnen.
Derzeit hat Samsung Electronics ein internes Bauteam eingerichtet, das für die Planung und den Bau der neuen Fabrik verantwortlich ist. Das Projekt ist in seinem Umfang mit einer Fabrikhalle im nahegelegenen Hwaseong-Werk vergleichbar. Um die für die DRAM-Produktionslinie erforderlichen Nebenanlagen unterzubringen, erwägt das Unternehmen zudem den Abriss einiger bestehender Gebäude im Giheung-Werk.
Der Standort für die neue DRAM-Fabrik war ursprünglich der des „SR5"-Gebäudes. SR5 war das repräsentative Forschungs- und Entwicklungszentrum des Giheung-Werks von Samsung und gilt als Geburtsort des Halbleitergeschäfts von Samsung. Das Zentrum wurde 1987 von Samsung-Gründer Lee Byung-chul eingerichtet, der dort die Mitarbeiter zum Geist der „unendlichen Erforschung" ermutigte.
Da die ursprünglichen Anlagen von SR5 den Anforderungen der 1-Nanometer-Feinstprozess-Technologie und der Spitzenforschung im Speicherbereich nicht mehr gerecht wurden, ließ das Management von Samsung Electronics Ende letzten Jahres bis Anfang dieses Jahres das Gebäude abreißen.
Ursprünglich war nach dem Abriss von SR5 geplant, auf dem Gelände zwei neue Forschungs- und Entwicklungszentren zu errichten, die als „Forschungs- und Entwicklungskontrollturm" des Giheung-Werks dienen sollten, ähnlich dem DSR-Turm im nahegelegenen Hwaseong-Werk. Mit der Expansion der Device Solutions Division, die für das Halbleitergeschäft von Samsung Electronics verantwortlich ist, und dem Anstieg der F&E-Mitarbeiter, plante das Unternehmen ursprünglich, durch den Bau neuer Forschungszentren den F&E-Raum weiter zu vergrößern.
Vor dem Hintergrund des rasanten Wachstums der globalen Investitionen in KI-Infrastruktur und der sich verschärfenden Angebotsverknappung auf dem Speichermarkt hat Samsung Electronics jedoch letztlich seine ursprünglichen Pläne geändert und die Nutzung des Grundstücks von einem Forschungs- und Entwicklungszentrum in eine Speicherproduktionsanlage umgewandelt.
In letzter Zeit treiben globale IT-Unternehmen den Bau groß angelegter KI-Rechenzentren voran, was die Nachfrage nach Speicherchips kontinuierlich steigen lässt. Insbesondere in einer Situation, in der DRAM-Hersteller die Nachfrage nach High-Bandwidth Memory (HBM) nicht vollständig decken können, beginnt auch das Angebot an universellen Speicherchips für Smartphones und PCs knapp zu werden.
Das Marktforschungsunternehmen Counterpoint Research prognostiziert, dass die weltweiten DRAM-Markteinnahmen in diesem Jahr aufgrund steigender Produktpreise von 150 Milliarden US-Dollar auf 210 Milliarden US-Dollar steigen werden, was etwa 312 Billionen Won entspricht.
Angesichts der wachsenden Marktnachfrage beschleunigt Samsung Electronics den Ausbau seiner Halbleiterkapazitäten. Ein Brancheninsider erklärte, dass der Betriebsgewinn von Samsung Electronics allein in der ersten Jahreshälfte über 140 Billionen Won betragen habe und das Unternehmen derzeit nach Möglichkeiten suche, die Kapitalinvestitionen zu erhöhen. Branchenanalysten zufolge legt das Management von Samsung Electronics in der aktuellen Phase mehr Wert auf den schnellen Kapazitätsausbau, um der steigenden Speichernachfrage gerecht zu werden, als auf den weiteren Bau von Forschungszentren.
Neben dem Bau der neuen DRAM-Fabrik im Giheung-Werk treibt Samsung Electronics auch den Ausbau der Halbleiterkapazitäten mit Schwerpunkt auf dem Pyeongtaek-Werk voran. Im Pyeongtaek-Werk 4 wird eine neue Produktionslinie gebaut, die monatlich 100.000 Wafer für die sechste Generation des HBM4 benötigten DRAMs produzieren soll.
Samsung Electronics plant zudem den Bau einer neuen Fabrik in Yongin, Provinz Gyeonggi, die als Cluster für die nächste Generation von Halbleitern dienen soll, mit dem Ziel der Inbetriebnahme im Jahr 2029. Darüber hinaus baut das Unternehmen eine zweite hochmoderne Halbleiterfabrik im Halbleitercluster in Gwangju, Provinz Süd-Jeolla, mit einer geplanten Investition von 400 Billionen Won.
