SK Hynix Forschung und japanischer Kioxia vertiefen NAND-Kooperation

de.wedoany.com-Bericht: Am 27. August erklärte der CEO von SK Hynix, Kwak Noh-jung, in West Lafayette, Indiana, USA, dass das Unternehmen eine weitere Vertiefung der Zusammenarbeit mit dem japanischen Unternehmen Kioxia prüfe und sorgfältig evaluiere, wie der NAND-Flash-Speichermarkt gemeinsam mit Kunden und Lieferanten ausgebaut werden könne. Hinsichtlich der Beteiligungsvereinbarungen von SK Hynix an Kioxia sagte Kwak Noh-jung, es gebe derzeit „keinen festgelegten Plan“; das Unternehmen habe noch keine endgültige Entscheidung über die weitere Aktienbeteiligung getroffen.

Zwischen SK Hynix und Kioxia besteht derzeit eine indirekte Kapitalbeziehung. Aus den jährlichen Wertpapierunterlagen von Kioxia geht hervor, dass BCPE Pangea Cayman2 zum 31. März 2026 insgesamt 77,4 Millionen Aktien an Kioxia hielt, was 14,17 % der ausgegebenen Stammaktien entspricht. SK Hynix hält Wandelschuldverschreibungen, die in Aktien mit nahezu allen Stimmrechten von BCPE Pangea Cayman2 umgewandelt werden können; gemäß der Vereinbarung zwischen beiden Parteien darf SK Hynix bis 2028 ohne Zustimmung von Kioxia nicht mehr als 15 % der gesamten Stimmrechte an Kioxia halten. Bis Ende März 2026 wurden die betreffenden Wandelschuldverschreibungen noch nicht umgewandelt.

Am 10. August bestätigte Kioxia, dass BCPE Pangea Cayman2 zum größten Aktionär des Unternehmens geworden ist. Zum 3. August hielt diese Gesellschaft weiterhin 77,4 Millionen Aktien, was einem Stimmrechtsanteil von 14,19 % entspricht; der Anteil von Toshiba sank auf 77.038.200 Aktien, der Stimmrechtsanteil fiel auf 14,12 %, womit Toshiba vom größten auf den zweitgrößten Aktionär zurückfiel. Die Anzahl der von BCPE Pangea Cayman2 gehaltenen Aktien betrug sowohl vor als auch nach der Veränderung der Aktionärsreihenfolge 77,4 Millionen.

Am selben Tag, an dem Kwak Noh-jung diese Aussagen machte, gaben Kioxia und Sandisk eine neue Runde von Investitionsplänen für den japanischen Flash-Speicher bekannt. Beide Unternehmen planen, bis 2032 mehr als 31 Milliarden US-Dollar zu investieren, was etwa 5 Billionen Yen entspricht. Die Mittel sollen für die Werke in Yokkaichi und Kitakami sowie für die zugehörige Infrastruktur und Technologie verwendet werden. Die Umsetzung der Investitionen ist an die Bedingung staatlicher Unterstützung geknüpft. Beide Unternehmen hatten im Januar dieses Jahres den Rahmen der Joint-Venture-Vereinbarung für Yokkaichi bis Dezember 2034 verlängert; der Kooperationsumfang umfasst die gemeinsame Entwicklung und Fertigung von Flash-Speicher-Wafern.

Am selben Tag startete Kioxia die Standortvorbereitung und die damit verbundenen Arbeiten für den Bau von Fab3 im Werk Kitakami in der Präfektur Iwate. Fab3 befindet sich südlich der bestehenden Fab2 und ist für die Produktion des fortschrittlichen 3D-Flash-Speichers BiCS FLASH vorgesehen, mit einem geplanten Betriebsstart im Geschäftsjahr 2029. Der konkrete Baufortschritt und die Investitionsplanung für die Ausrüstung werden in Abhängigkeit von den Marktbedingungen festgelegt; die entsprechenden Investitionspläne sind ebenfalls an die Bedingung staatlicher Unterstützung geknüpft.