de.wedoany.com-Bericht: RootSemicon gab am 11. Juni bekannt, dass es ein nationales Entwicklungsprojekt für 3300-Volt-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsmodule leitet. Das Projekt wird vom koreanischen Ministerium für Handel, Industrie und Energie geleitet und vom Korea Institute for Industrial Technology Evaluation (KEIT) verwaltet. Das Gesamtbudget beträgt rund 7,7 Milliarden KRW bei einer Laufzeit von vier Jahren.
RootSemicon wird SiC-Leistungshalbleitermodule für Übertragungs- und Verteilungssysteme entwickeln. Im Rahmen dieser Zusammenarbeit stellt RootSemicon die SiC-Bauelemente her, SemiPowerEx verpackt sie zu Modulen, Intec Electric & Electronic bezieht als Abnehmer die fertigen Produkte, und die erforderlichen Epitaxiewafer werden von Arke geliefert. Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium (Si)-Bauelementen arbeiten SiC-Halbleiter unter Hochspannungsbedingungen stabiler. Die entwickelten Bauelemente sind für den Einsatz bei 3300 V ausgelegt, mit potenziellen Anwendungen in Stromnetzen, Schnellladestationen für Elektrofahrzeuge, der Bahnindustrie und Halbleiter-Solid-State-Leistungsschaltern (SSCB).
Branchenkreisen zufolge unterstützt die derzeitige koreanische Technologie SiC-Bauelemente mit einer Betriebsspannung von 1700 V. Produkte mit höheren Spannungsklassen werden hauptsächlich von ausländischen Anbietern wie Infineon Technologies und Mitsubishi Electric bezogen. RootSemicon erklärte, dass das Unternehmen bereits über die Fähigkeiten zur Massenproduktion und Verpackung von 1200-V-SiC-MOSFET-Bauelementen mit einer Ausbeute von 90 % verfügt. Vizepräsident Jung Eun-sik sagte, das Unternehmen werde das Projekt mit seiner Expertise im SiC-Leistungshalbleiterdesign und der Hochausbeute-Testtechnik unterstützen.
Darüber hinaus wurde RootSemicon kürzlich als Leiter eines weiteren staatlich geförderten Projekts ausgewählt, das ein Budget von 8,15 Milliarden KRW hat und sich auf die Entwicklung von Stromversorgungsmodulen für Wasserelektrolysesysteme konzentriert.
Dieser Artikel wurde von Wedoany übersetzt und bearbeitet. Bei jeglicher Zitierung oder Nutzung durch künstliche Intelligenz (KI) ist die Quellenangabe „Wedoany“ zwingend vorgeschrieben. Sollten Urheberrechtsverletzungen oder andere Probleme vorliegen, bitten wir Sie, uns unverzüglich zu benachrichtigen. Wir werden den entsprechenden Inhalt umgehend anpassen oder löschen.
E-Mail: news@wedoany.com
