de.wedoany.com-Bericht: SK Hynix hat das Produktkonzept für seinen nächsten 3D-NAND-Flash-Speicher angepasst. Die V10-Generation wird eine Stapeltechnologie mit 375 Schichten verwenden und im Herstellungsprozess teilweise Molybdän anstelle von Wolfram-Dünnschichten einführen, um die elektrischen Verbindungsherausforderungen bei hohen Schichtzahlen zu bewältigen.
Die V9-Generation des Unternehmens erreichte bereits 321 Schichten und ist damit die höchste Stapelzahl in der Massenproduktion von NAND-Flash. Der Anstieg von V9 auf V10 beträgt 54 Schichten und ist relativ konservativ. Laut einem Bericht der südkoreanischen Medien The Elec unter Berufung auf Branchenquellen hatte SK Hynix zuvor 400 Schichten als Ziel für V10 ins Auge gefasst, dieses jedoch aufgrund von „Herstellungsschwierigkeiten“ herabgesetzt. Im Vergleich dazu steigt die V10-Generation des Konkurrenten Samsung von 286 Schichten (V9) sprunghaft auf 4xx Schichten an, vermutlich etwa 430 Schichten.
Mit zunehmender Stapelzahl der Speicherzellen steigt die Komplexität der elektrischen Verbindungen. SK Hynix ersetzt in der 375-Schicht-Struktur einen Teil der Wolfram-Dünnschichten in den Wortleitungen durch Molybdän. Die Leiterbahnen werden kontinuierlich schmaler, wodurch der Widerstand von Wolfram steigt und die Signalübertragung beeinträchtigt wird. Molybdän hat einen geringeren Widerstand, was die Lese- und Schreibgeschwindigkeit verbessert. Zudem kann Molybdän beim Abscheiden ohne die bei Wolfram erforderliche zusätzliche Barriereschicht direkt aufgebracht werden, was eine höhere Dichte der Struktur ermöglicht. Der Bericht weist jedoch darauf hin, dass das neue Verfahren technisch anspruchsvoll ist.
Laut der Roadmap von SK Hynix werden die Stapelzahlen der folgenden Generationen (vermutlich V11 und V12) weiter steigen und 480 bzw. 608 Schichten erreichen, so Branchenquellen. Samsung hat kürzlich in ersten Versuchen erfolgreich 900 Schichten gestapelt, aber dieses Ergebnis ist noch weit von der Massenproduktion entfernt.
Was den Zeitplan für die Massenproduktion betrifft, so zeigt eine Zusammenstellung des Marktforschungsinstituts TrendForce, dass SK Hynix‘ 375-Schicht-NAND voraussichtlich Ende 2026 in die Massenproduktion gehen wird; Samsungs 4xx-Schicht-NAND ist für die zweite Hälfte des Jahres 2026 geplant; die Massenproduktion von Kioxias BiCS10 (332 Schichten) könnte im Geschäftsjahr 2026 oder Anfang 2027 beginnen. Trotz der geringeren Schichtzahl erreichte der BiCS10, den Kioxia gemeinsam mit dem Partner Sandisk auf der ISSCC vorstellte, damals die höchste Speicherdichte von fast 5 GB/mm².
Während die Hauptkonkurrenten nacheinander ihre zehnte Generation vorantreiben, hält sich Micron bedeckt. Micron plant nach der G9 (276 Schichten) die G10, aber es gibt kaum öffentliche Informationen. Laut einem Artikel von EE World wird die G10 voraussichtlich die „Confined Storage Node (Confined SN)“-Technologie verwenden, um Interferenzen zwischen den Zellen zu reduzieren, die Lebensdauer der Speicherzellen zu verbessern und die Schreibzeit um etwa 10 % zu verkürzen.
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