ROHM bringt 650-V-IGBT der 4. Generation auf den Markt – geringe Verluste im Fahrzeugeinsatz und AEC-Q101-konform

de.wedoany.com-Bericht: ROHM gab am 18. bekannt, dass das Unternehmen den 650-V-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) der 4. Generation entwickelt hat, der für den Einsatz in fahrzeugelektrischen Kompressoren, HV-Heizungen, Wechselrichtern für Industrieanlagen und anderen Bereichen geeignet ist. Mit branchenführend niedrigen Verlusten in der 650-V-Klasse für Fahrzeuge und hoher Kurzschlussfestigkeit erfüllt das Bauteil die Fahrzeugzuverlässigkeitsnorm AEC-Q101.

Durch die Optimierung der Bauelementstruktur, einschließlich Prozess und Randstruktur, wurde die Stromdichte erhöht und die Durchlass- sowie Schaltverluste wurden reduziert. Die VCE-Sättigungsspannung, die für niedrige Durchlassverluste steht, beträgt 1,55 V.

Bei einer Sperrschichttemperatur Tj von 25 °C gewährleistet das Produkt eine Kurzschlussfestigkeit von 7 µs – eine Eigenschaft, die üblicherweise in einem Zielkonflikt mit niedrigen Verlusten steht. Diese Eigenschaft trägt zur Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit der Anwendung bei.

Die Produktpalette umfasst 12 Modelle der Serie RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR im TO-247N-Gehäuse sowie 10 Modelle der Serie SG83xxWN als Bare Die. Gleichzeitig wird die Entwicklung von 12 Modellen der Serie RGAxxTR65HR/RGAxxTR65EHR im TO-247-4L-Gehäuse vorangetrieben.

Die neuen Produkte werden seit Mai mit einer monatlichen Produktionskapazität von 1 Million Stück in Serie gefertigt. Die Produkte im TO-247N-Gehäuse sind auch online erhältlich. Verschiedene Designmodelle und die für den Schaltungsentwurf erforderlichen Unterlagen stehen bereit und können von der offiziellen Website von ROHM heruntergeladen werden.

ROHM wird künftig die Erweiterung der Modellpalette im gleichen Gehäuse vorantreiben und plant die Entwicklung kleiner oberflächenmontierbarer IGBT-Produkte im TO-263L-Gehäuse und im Top-Side-Cooling (TSC)-Gehäuse, um das Angebot an leistungsstarken IGBTs zu erweitern.

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