de.wedoany.com-Bericht: Das Südkoreanische Institut für Maschinenbau (KIMM) hat erstmals eine Technologie entwickelt, die mithilfe von Künstlicher Intelligenz (KI) zweidimensionale Halbleiter auf atomarer Ebene (1 bis 2 Nanometer) analysieren und steuern kann. Die Technologie zielt darauf ab, die Reproduzierbarkeit und Produktivität des Prozesses erheblich zu verbessern.
Das KIMM gab am 17. bekannt, dass das vom leitenden Forscher Kim Hyung-woo geleitete Forschungsteam des Zentrums für Halbleiteranlagenforschung mithilfe von auf Niedertemperatur-Plasma basierenden PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) und RIE (Reactive Ion Etching) Anlagen einen Synthese- und Ätzprozess für 6-Zoll-Next-Generation-2D-Halbleiter (MoS₂, WS₂) entwickelt und diesen Prozess erfolgreich in ein KI-basiertes intelligentes System integriert hat.
Das Forschungsteam maß während des Prozesses in Echtzeit die Veränderungen des erzeugten Lichts und der Gaszusammensetzung und analysierte diese mithilfe von maschinellem Lernen, um den Prozesszustand vorherzusagen. Das Team nutzte außerdem verschiedene Echtzeit-Diagnosegeräte (OES, ToF-MS, QMS usw.), um zeitliche multimodale Daten zu erfassen und diese in maschinelle Lernmodelle einzuspeisen. Dadurch gelang eine präzise Vorhersage der Halbleiterdicke auf atomarer Ebene.
Die Technologie basiert auf einem Niedertemperatur-Plasma-Prozess und ist so konzipiert, dass sie mit bestehenden Massenproduktionsanlagen kompatibel ist. Durch einen einzigen Prozess wird das Ätzen auf atomarer Ebene ermöglicht, während gleichzeitig Prozesseffizienz und Produktivität sichergestellt werden. Der leitende Forscher Kim Hyung-woo erklärte, dass die Realisierung eines 2D-Halbleiterprozesses auf atomarer Ebene im 6-Zoll-Wafer-Maßstab bei niedrigen Temperaturen von großer Bedeutung sei. Er plane, diese Technologie in Zukunft zur Kerntechnologie für die Automatisierung und Intelligenzsteigerung von Fertigungsprozessen der nächsten Halbleitergeneration weiterzuentwickeln.
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