de.wedoany.com-Bericht: Infineon Technologies hat vor dem Landgericht München I in Deutschland zwei Patentverletzungsurteile gegen Innoscience erwirkt. Das Gericht verbietet Innoscience, die betreffenden patentverletzenden Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen und zu vermarkten.
Ein Urteil betrifft eine Patentverletzung, das andere eine Gebrauchsmusterverletzung. Das Gericht ordnete zudem an, dass Innoscience Infineon für die Verletzungen Schadensersatz zu leisten hat. Diese Urteile stellen eine weitere Stärkung der Position von Infineon im Bereich des geistigen Eigentums für Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleiter dar.
Diese Urteile sind das dritte und vierte negative Urteil, mit dem Innoscience in den entsprechenden rechtlichen Verfahren konfrontiert ist. Infineon weist darauf hin, dass Gerichte und Aufsichtsbehörden in Deutschland und den USA bereits mehrfach festgestellt haben, dass Produkte von Innoscience seine Patente verletzen. Zuvor hatte ein deutsches Gericht am 1. August 2025 eine Patentverletzung durch Innoscience festgestellt; der gesamte Ausschuss der United States International Trade Commission (ITC) entschied am 7. Mai 2025, dass Innoscience ein GaN-Patent von Infineon verletzt. Patentverletzungsklagen, die andere Technologien von Infineon betreffen, sind in Deutschland und den USA noch anhängig.
Die GaN-Technologie gewinnt in der Leistungselektronik zunehmend an Bedeutung, da sie die Effizienz steigert, Schaltverluste reduziert und eine Systemminiaturisierung ermöglicht. Die Technologie wird bereits in Bereichen wie erneuerbaren Energiesystemen, Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen, industriellen Automatisierungsgeräten und Stromversorgungen für Rechenzentren eingesetzt.
Infineon investiert kontinuierlich in diesem Bereich. Sein GaN-Patentportfolio umfasst rund 450 Patentfamilien, die Bauelementstrukturen, Herstellungsverfahren und systembezogene Innovationen abdecken. Durch technologische Entwicklung und den Aufbau von geistigem Eigentum strebt das Unternehmen danach, seine Marktposition im Bereich der energieeffizienten Leistungselektronik zu stärken und langfristige Trends wie Dekarbonisierung und digitale Transformation zu bedienen.
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