de.wedoany.com-Bericht: Samsung hat auf dem VLSI Symposium 2026 die Roadmap für die nächste Generation der SSD-Technologie vorgestellt. Durch das Stapeln von bis zu 1000 Lagen NAND-Flash soll die Speicherkapazität von SSDs auf das Vierfache aktueller Modelle steigen, was den Weg für Consumer-Laufwerke mit bis zu 32 TB Kapazität ebnet.
Samsung plant nicht, einen einzelnen 1000-Lagen-Chip zu fertigen, sondern setzt auf die Cell-Multi-Bonding (CMB)-Technologie, bei der zwei separate NAND-Stapel mit 450 bis 500 Lagen miteinander verbunden werden. Das Unternehmen gibt an, dass die Nachfrage nach großen SSD-Kapazitäten aufgrund des steigenden Speicherbedarfs durch Künstliche Intelligenz, Rechenzentren und Unternehmenslasten rapide zunimmt. Samsung beschleunigt seine NAND-Entwicklungsroadmap und plant, bis 2029 420 Lagen NAND zu erreichen, bis 2030 über 560 Lagen und Anfang des nächsten Jahrzehnts die 1000-Lagen-Marke zu durchbrechen.
Der Bau von NAND-Chips mit Hunderten von Lagen bringt mehrere Herausforderungen mit sich, wobei die größte die durch Waferverformung verursachte Abnahme der Fertigungspräzision ist. Samsung hat durch ein neues „Upper Chuck"-Design die Waferstabilität während des Produktionsprozesses verbessert und fortschrittliche Overlay-Korrekturtechniken entwickelt, um Ausrichtungsfehler zu reduzieren. Diese Verbesserungen zielen darauf ab, die Fertigung von NAND mit ultrahohen Stapellagen praktikabler zu machen und die Produktionsherausforderungen zu verringern.
Der Technologieanalyst Dr. Ian Cutress erklärt, dass das Design, bei dem zwei 450-Lagen-NAND-Stapel durch Cell-Multi-Bonding zu einem vereint werden, die Kapazität erheblich steigern kann. Beispielsweise könnte eine aktuelle 8-TB-QLC-SSD mit Samsungs zukünftiger 1000-Lagen-Architektur auf 32 TB erweitert werden.
Im Wettlauf um die Entwicklung von NAND-Speicher mit höherer Dichte hat SK Hynix als erstes Unternehmen die Kommerzialisierung der 321-Lagen-NAND-Technologie erreicht und entwickelt mithilfe des Hybrid-Bonding-Verfahrens 400-Lagen-NAND. Samsung hingegen erforscht die Vertical-Bonding-Technologie. Der chinesische Speicherhersteller YMTC produziert bereits NAND-Chips mit 232 und 294 Lagen und investiert in neue Anlagen zur Kapazitätserweiterung.
Samsungs 900- bis 1000-Lagen-NAND-Technologie befindet sich noch im Prototypenstadium, kommerzielle Produkte werden um 2030 erwartet. Zuvor plant das Unternehmen, in den kommenden Jahren NAND-Chips mit über 400 Lagen auf den Markt zu bringen, um schrittweise das langfristige Ziel zu erreichen, Speicherkapazitäten weit über aktuelle Modelle hinaus zu steigern.
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