de.wedoany.com-Bericht: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation hat den 80-V-N-Kanal-Power-MOSFET „TPM1R408RH" vorgestellt, der mit der neuesten Prozessgeneration U-MOS11-H gefertigt wird. Das Bauteil richtet sich vor allem an Schaltnetzteile für Industrieanlagen wie KI-Rechenzentren und Kommunikationsbasisstationen und wird ab sofort ausgeliefert.
Der Umfang der KI-Datenverarbeitung wächst stetig, und der Strombedarf von Rechenzentren steigt entsprechend. Auch die Entwicklung der Kommunikations-infrastruktur stellt höhere Anforderungen an Schaltnetzteile in Bezug auf hohe Effizienz, Miniaturisierung (hohe Leistungsdichte) und geringe elektromagnetische Störungen (EMI). Da Leistungsverluste direkt den Stromverbrauch, die Wärmeentwicklung und die Kühllast des Systems beeinflussen, sind Leistungshalbleiter erforderlich, die eine Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten in Einklang bringen, um die Gesamtsystemleistung – einschließlich EMI-Unterdrückung, thermischem Design und Montagefreundlichkeit – zu optimieren.
Der TPM1R408RH verwendet eine optimierte Bauelementstruktur und erreicht einen maximalen Drain-Source-Einschaltwiderstand von 1,4 mΩ. Dies entspricht einer Reduzierung um etwa 26 % im Vergleich zum Toshiba-80-V-Produkt „TPM1R908QM" aus der vorherigen U-MOS-X-H-Prozessgeneration. Darüber hinaus verbessert das Bauteil das Verhältnis zwischen Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) und Gesamt-Gate-Ladung (Qg). Die Gütezahl RDS(ON) × Qg ist im Vergleich zum TPM1R908QM um etwa 45 % niedriger. Diese Eigenschaften führen zu einer im Branchenvergleich niedrigen Leistungsverlustleistung.
Der TPM1R408RH unterdrückt zudem Spannungsspitzen zwischen Drain und Source während des Schaltvorgangs, was zur Reduzierung von EMI in Schaltnetzteilen beiträgt. Die EMI-Unterdrückung erfordert in der Regel Nacharbeiten in der späten Designphase. Die Unterdrückung der Spannungsspitzen des Bauteils selbst kann den Nacharbeitsaufwand verringern und die Filter- und Snubber-Schaltungen vereinfachen.
Das neue Produkt ist im SOP Advance (E)-Gehäuse erhältlich. Im Vergleich zum bestehenden Toshiba-SOP Advance (N)-Gehäuse reduziert sich der Gehäusewiderstand um etwa 65 % und der Wärmewiderstand um etwa 15 %. Durch die geringere Wärmeentwicklung und die verbesserte Wärmeableitung unterstützt dieses Gehäuse eine höhere Ausgangsleistung und kompaktere Netzteildesigns.
Toshiba bietet auch Designunterstützungstools für Schaltnetzteil-Schaltungen an. Neben G0-SPICE-Modellen zur schnellen Überprüfung der Schaltungsfunktion stehen nun auch hochpräzise G2-SPICE-Modelle zur Verfügung, die das Einschwingverhalten genau nachbilden. Der Online-Schaltungssimulator auf der Toshiba-Website ermöglicht es Benutzern, den Schaltungsbetrieb direkt im Webbrowser zu überprüfen, ohne eine Simulationsumgebung einrichten oder Bauteilmodelle herunterladen zu müssen.
Toshiba wird die Produktpalette an Power-MOSFETs, die zur Verbesserung der Netzteileffizienz beitragen, kontinuierlich erweitern, um den Stromverbrauch von Industrieanlagen zu senken.
Das Produkt eignet sich für Schaltnetzteile in Industrieanlagen wie KI-Rechenzentren und Kommunikationsbasisstationen. Zu den Hauptmerkmalen gehören: niedriger Drain-Source-Einschaltwiderstand, RDS(ON) von 1,4 mΩ (max., VGS = 10 V, ID = 50 A, Ta = 25 °C); niedriges Produkt aus Drain-Source-Einschaltwiderstand und Gesamt-Gate-Ladung, RDS(ON) × Qg von 1,4 mΩ × 80 nC = 112 mΩ·nC (etwa 45 % niedriger als beim TPM1R908QM mit 1,9 mΩ × 108 nC = 205,2 mΩ·nC); Verwendung des SOP Advance (E)-Gehäuses mit niedrigem Gehäusewiderstand und niedrigem Wärmewiderstand. Die wichtigsten Spezifikationen (sofern nicht anders angegeben, Ta = 25 °C) sind wie folgt:
Anmerkungen: [1] Stand Juni 2026, basierend auf Toshibas Niederspannungs-Power-MOSFET-Prozess. [2] VGS = 10 V, ID = 50 A, Ta = 25 °C. [3] Stand Juni 2026, Toshiba-Umfrage.
