de.wedoany.com-Bericht: In Higashihiroshima, Präfektur Hiroshima, hat Micron Technology offiziell ein Werkserweiterungsprojekt mit einem Gesamtvolumen von 1,5 Billionen Yen (etwa 9,3 Milliarden US-Dollar) gestartet. Die Grundsteinlegung fand am 4. Juli 2026 statt. Dies ist Microns zentrale Kapazitätsplanung für den explosionsartig steigenden Speicherbedarf im Zeitalter der Künstlichen Intelligenz und ein Schlüsselprojekt zur Wiederbelebung der heimischen Halbleiterlieferkette Japans. Das japanische Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie wird das Projekt mit bis zu 500 Milliarden Yen subventionieren.
Das Werk in Hiroshima blickt auf eine über 35-jährige Tradition in der Halbleiterfertigung zurück und spiegelt den Wandel der japanischen Speicherindustrie wider. Das Werk wurde 1988 als NEC-Werk in Hiroshima errichtet, 2003 im Zuge der Konsolidierung der japanischen DRAM-Industrie in Elpida Memory eingegliedert und nach der Übernahme des insolventen Elpida durch Micron im Jahr 2013 zum zentralen operativen Standort von Micron in Japan. Der erste HBM-Prototyp-Wafer von Micron wurde hier hergestellt. In der Umgebung des Werks haben sich Zulieferer für Fotolacke, Spezialelektronikgase, Siliziumwafer und andere Vorprodukte angesiedelt. Etwa 80 % der Rohstoffe für die Produktion können lokal beschafft werden, was die Lieferkettenstabilität und Prozessunterstützung erheblich verbessert.
Die technische Kernkomponente dieser Erweiterung ist der 1γ (1-Gamma)-Prozess-DRAM von Micron, der derzeit fortschrittlichste DRAM-Technologieknoten weltweit. Diese Technologie baut auf den technologischen Errungenschaften der beiden vorherigen Generationen 1α und 1β auf und setzt erstmals in der DRAM-Fertigung umfassend die extrem ultraviolette Lithografie ein, kombiniert mit neuen HKMG- und CMOS-Prozessschemata. Im Vergleich zur vorherigen 1β-Generation reduziert der 1γ-DRAM den Stromverbrauch um über 20 %, erhöht die Speicherdichte um über 30 % und verdoppelt die Bit-Leistung. Damit kann er die Hochleistungsspeicheranforderungen in verschiedenen Szenarien wie KI-Computing, High-End-Unterhaltungselektronik, intelligenten Fahrzeugen und Cloud-Rechenzentren erfüllen. Neben Standard-DRAM-Produkten wird die neue Fertigungslinie auch einen Schwerpunkt auf die Kapazität für High Bandwidth Memory (HBM) legen, einschließlich High-End-Produkten wie HBM4 und HBM4E für KI-Rechenleistung. Derzeit befindet sich der von Micron für die Vera-Rubin-Plattform von NVIDIA entwickelte HBM4 bereits in der Massenproduktion.
Laut Projektplan wird bei dieser Erweiterung eine neue Reinraum-Produktionshalle mit einer Fläche von 28.000 Quadratmetern errichtet. Bau und Geräteinstallation erfolgen in Phasen. Die kommerzielle Auslieferung der Produktionslinie wird für den Sommer 2028 erwartet, die Volllastproduktion soll 2030 erreicht werden. Dann wird die monatliche Wafer-Produktionskapazität 40.000 Stück betragen. Der japanische Minister für Wirtschaft, Handel und Industrie, Ryosei Akazawa, erklärte bei der Grundsteinlegung, dass Micron derzeit der einzige DRAM-Hersteller in Japan sei und diese Investition einen strategischen Wert für das japanische Halbleiter-Ökosystem habe. Laut Daten von Counterpoint Research hielt SK Hynix im ersten Quartal 2026 einen Marktanteil von 58 % am globalen HBM-Markt. Microns Marktanteil stieg von 9 % Ende 2024 auf etwa 21 % Ende 2025 und übertraf damit Samsung, um den zweiten Platz weltweit zu belegen. Die Erweiterung des Werks in Hiroshima ist ein entscheidender Schritt für Micron, um den Abstand zum Branchenführer zu verringern und die Vorherrschaft auf dem KI-Speichermarkt zu erlangen.
