de.wedoany.com-Bericht: GlobalFoundries (GF) hat bekannt gegeben, dass seine SLATE-Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie auf der branchenführenden 9SW-RF-SOI-Plattform (Radio Frequency Silicon on Insulator) produktionsreif ist und fortschrittliche 3D-Integration (3DI) für kompakte, leistungsstarke zellulare Frontends ermöglicht. Die Technologie wird in GFs 300-mm-Waferfabrik in Singapur hergestellt und soll in der zweiten Jahreshälfte 2027 in die Massenproduktion gehen.
Die erste Generation der SLATE-Technologie von GF unterstützt Wafer-zu-Wafer-Bonden (W2W). Entwickler können damit zwei 9SW-Wafer verbinden und große Feldeffekttransistoren (FETs) in einer vertikalen Architektur stapeln und integrieren. Durch das Falten großer FETs auf dem gebondeten Wafer kann die SLATE-Technologie die gesamte Chip-Größe um bis zu 45 % reduzieren, wodurch der HF-Platinenplatz und die gesamte Entwurfsfläche für platzbeschränkte Anwendungen in intelligenten Mobilgeräten, darunter Schalter, rauscharme Verstärker (LNA) und Antennenabstimmer, verringert werden.
Die 9SW-RF-SOI-Plattform, die erstmals 2023 vorgestellt wurde, ist GFs fortschrittlichste HF-Frontend-Modul-Lösung (FEM) und deckt die Sub-8-GHz- und FR3-Bänder für 5G-Mobilgeräte und Satellitenkommunikation ab. Als GFs vierte Generation der XSW-Technologie senkt 9SW den Ruhestrom signifikant, um die Akkulaufzeit zu verlängern, und erzielt durch niedrigeren Einschaltwiderstand und Ausschaltkapazität (Ron*Coff) eine Effizienzsteigerung von über 20 %.
Shankaran Janardhanan, Senior Vice President des HF-Geschäftsbereichs von GF, erklärte, dass der Einsatz von SLATE auf 9SW einen bedeutenden Schritt in der HF-Integration darstelle und es Kunden ermögliche, kompaktere und energieeffizientere Lösungen für die nächste Generation von 5G-Geräten zu entwickeln, ohne die HF-Leistung zu beeinträchtigen. Durch die Kombination der branchenführenden 9SW-Plattform mit der fortschrittlichen SLATE-Packaging-Technologie würden neue Möglichkeiten für Innovationen in der nächsten Generation mobiler und drahtloser Anwendungen eröffnet.
Vinod Kariat, Corporate Vice President der Custom-IC- und PCB-Gruppe von Cadence, sagte, dass die Anwendung der SLATE-Technologie von GF auf der 9SW-Plattform einen wichtigen Fortschritt in der HF-Frontend-Integration darstelle. Entwickler könnten damit traditionelle Skalierungs- und Integrationsherausforderungen überwinden. Durch die homogene Integration, Analyse und Verifizierung mit Cadences Virtuoso Studio könnten Anwender das 3D-Integrationspotenzial von SLATE freisetzen, was Entwicklern Geschwindigkeit und Vertrauen gebe, um die nächste Generation von 5G-Frontend-Modulen vom Konzept zum Silizium zu bringen.
Die SLATE-Wafer-zu-Wafer-Bonding-Technologie von GF bietet eine heterogene 3DI-Roadmap für seine differenzierenden Technologien, darunter FDX FD-SOI, RF-SOI und Silizium-Germanium (SiGe), und ermöglicht so leistungsfähigere Systemfähigkeiten in verschiedenen Märkten wie Rechenzentren, Satellitenverbindungen, Internet der Dinge und Mobilgeräten. Über das GF Connect-Portal ist ein integriertes Prozess-Design-Kit (PDK) verfügbar, um den Designprozess schnell zu starten. 9SW und 9SW SLATE können über das GlobalShuttle-Multi-Projekt-Wafer-Programm von GF prototypisch validiert werden; der Tape-Out soll in der zweiten Jahreshälfte dieses Jahres beginnen.
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