de.wedoany.com-Bericht: Am 27. Juli veröffentlichte Samsung Electronics ein Interview mit Koo Ja-heum, dem Leiter der Technologieentwicklungsabteilung des Halbleitergeschäftsbereichs. Samsung gab offiziell die zentrale technologische Roadmap für den achten Generation High-Bandwidth Memory (HBM5) bekannt.
Koo Ja-heum erklärte, dass die Betriebsgeschwindigkeit des nächsten Samsung HBM5-Speichers voraussichtlich um mehr als 50 % höher sein wird als die des Vorgängers HBM4E. Zudem wird der Basis-Chip (Base Die) von HBM5 historisch erstmals auf einem 2-nm-Prozess basieren, der auf der GAA-Transistorstruktur (Gate-All-Around) aufbaut. Dies ist das erste Mal in der globalen Halbleiterindustrie, dass ein hochmoderner 2-nm-Prozess explizit für die Fertigung von HBM-Basis-Chips eingesetzt wird.
Hinsichtlich der spezifischen technischen Spezifikationen und der Architekturentwicklung wies Koo Ja-heum in dem exklusiven Interview detailliert darauf hin, dass mit der Weiterentwicklung der HBM-Produkte in höhere Generationen die Anforderungen der Branche an Datenverarbeitungsleistung und Gesamtenergieeffizienz extrem streng werden. Um den enormen Rechenleistungsbedarf in den Bereichen Künstliche Intelligenz und Supercomputing zu decken, wird HBM5 neben der umfassenden Einführung des 2-nm-GAA-Prozesses auch auf der Basis-Chip-Ebene eine höhere Integrationsdichte und eine höhere Dichte der TSV-Verbindungstechnologie (Through-Silicon Via) bieten.
Im Vergleich zur herkömmlichen FinFET-Struktur ermöglicht die GAA-Architektur, dass das Gate den Stromkanal vollständig von vier Seiten umschließt, was eine präzisere Stromsteuerung ermöglicht. Dadurch wird die Datenübertragungsleistung deutlich verbessert und gleichzeitig der Gesamtenergieverbrauch erheblich gesenkt.
Beim Implementierungstempo des Technologiesprungs gab Samsung einen klaren Fahrplan vor.
Koo Ja-heum betonte, dass Samsung zuvor den ausgereiften 4-nm-Prozess der vierten Generation für die Basis-Chip-Fertigung von HBM4 und HBM4E eingesetzt habe. Basierend auf den umfangreichen Erfahrungen, den Ausbeutedaten und der zugrunde liegenden technologischen Wettbewerbsfähigkeit, die bei der Entwicklung und Massenproduktion der 4-nm-HBM4-Basis-Chips gesammelt wurden, hat sich Samsung Electronics für eine aggressivere Technologiestrategie entschieden und führt bereits bei der HBM5-Generation direkt den 2-nm-GAA-Prozess ein.
Gleichzeitig hob Koo Ja-heum in dem Interview die einzigartigen Vorteile des „Turnkey"-Produktionssystems von Samsung Electronics in der Branche hervor. Er erklärte, dass HBM ein komplexes Produkt sei, das aus Kernspeicher-Chips (Core Die) und gestapelten Basis-Logikchips bestehe. Samsung sei in der Lage, eine vollständige interne Wertschöpfungskette zu realisieren: von der Herstellung der Kernchips durch die Speichersparte, über die Fertigung der Basischips durch die Foundry-Sparte bis hin zur abschließenden heterogenen Integration durch das Advanced-Packaging-Team. Diese vollständig eigenständig steuerbare und koordinierte Zusammenarbeit verkürze nicht nur die Entwicklungs- und Massenproduktionszeit von HBM5 erheblich, sondern biete auch deutliche Vorteile bei der Kontrolle der Fertigungskosten.
Darüber hinaus gab Koo Ja-heum den Gesamtfortschritt von Samsungs 2-nm-Foundry bekannt: Nach dem weltweit ersten Start der Massenproduktion des 3-nm-GAA-Prozesses hat Samsung in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 die Massenproduktion der ersten 2-nm-Generation gestartet und plant, in der zweiten Hälfte des Jahres 2026 die Massenproduktion der zweiten 2-nm-Generation mit weiter optimierter Leistung und Ausbeute zu beginnen. Derzeit wachsen die Aufträge von wichtigen Kunden, darunter Tesla, kontinuierlich.
Mit Blick auf die zukünftige Entwicklung des gesamten Halbleiter-Ökosystems erklärte Koo Ja-heum, dass der Fokus von Samsung Electronics nicht nur auf den derzeit boomenden Bereichen KI-Beschleuniger und High-Performance Computing (HPC) liege. Mit der Integration und Einführung von Spitzentechnologien wie dem 2-nm-Prozess und HBM5 arbeite Samsung aktiv daran, die Zusammenarbeit mit einer breiteren Palette von Branchenkunden zu vertiefen.
Das Unternehmen plane, fortschrittliche HBM- und kundenspezifische Foundry-Dienste in großem Umfang in neuen Hardware-Bereichen wie intelligenten mobilen Endgeräten, der nächsten Generation von Automobil-Elektronikplattformen und hochmodernen Robotern einzusetzen. Durch die bereichsübergreifende Bereitstellung von zugrunde liegender Rechenleistung und Speicherung strebe Samsung Electronics danach, die weitere Entwicklung und das Wachstum des globalen Halbleiter-Ökosystems anzuführen.
