de.wedoany.com-Bericht: Der Halbleiterhersteller Nexperia gibt die Erweiterung seines Portfolios an industriellen 650-V-GaN-FETs (Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren) für hohe Leistungen bekannt. Neu hinzugekommen sind drei Varianten mit 35 mΩ, 50 mΩ und 70 mΩ, die in den branchenüblichen Gehäusen TO-247-3, TO-247-4, TOLL und TOLT angeboten werden. Die Bauteile richten sich an anspruchsvolle Anwendungen der Leistungswandlung, darunter Stromversorgungen für Rechenzentren und Telekommunikation, erneuerbare Energiesysteme, Batteriespeicher (BESS) sowie industrielle Antriebe und Automatisierung.
Zu den Markttreibern dieser Portfolioerweiterung zählen: Das rasante Wachstum der KI-Berechnung erhöht den Leistungsbedarf von Rack-Stromversorgungen von unter 3 kW auf 5–12 kW; der Trend zu erneuerbaren Energien und industrieller Elektrifizierung erfordert höhere Schaltfrequenzen und Wirkungsgrade. Vor diesem Hintergrund gilt die Breitbandgap-Technologie, allen voran GaN, als Schlüssel für höhere Effizienz, kompaktere Systemabmessungen und besseres Wärmemanagement in der nächsten Generation von Leistungswandlerarchitekturen.
Andrea Bricconi, Vice President und Leiter der GaN-Produktgruppe bei Nexperia, erklärt, dass der Übergang zu Breitbandgap-Leistungshalbleitern in industriellen, energiebezogenen und KI-Infrastrukturanwendungen an Fahrt gewinne. Das Unternehmen setze sich dafür ein, GaN-Technologie für Entwickler von Hochleistungsanwendungen leichter zugänglich und skalierbar zu machen. Die Erweiterung des Portfolios sei erst der Anfang der Aktivitäten im Breitbandgap-Bereich.
Auf Systemebene übertreffen diese GaN-Bauteile durch höhere Schaltfrequenzen sowie geringere Schalt- und Durchlassverluste die Leistungsgrenzen herkömmlicher Siliziumlösungen. Entwickler können dadurch eine höhere Leistungsdichte und Effizienz erzielen sowie den Kühlbedarf und die Gesamtsystemkosten senken. Die höheren Schaltfrequenzen ermöglichen zudem den Einsatz kleinerer passiver und magnetischer Komponenten und unterstützen kompaktere, skalierbare Leistungsarchitekturen.
In der Hochleistungs-LLC-Stufe einer typischen 10–12-kW-KI-Server-Stromversorgung (PSU) ermöglichen GaN-Bauteile im Vergleich zu Siliziumbauteilen eine Effizienzsteigerung von etwa 0,8–1,2 % bei Volllast sowie eine Steigerung der Leistungsdichte auf Stufenebene um etwa 40–70 %. In einem typischen 1-kW-Hochspannungsmotorantrieb können GaN-Bauteile die Verluste im Wechselrichter um etwa 20–25 % senken, eine Effizienzsteigerung von etwa 1–1,5 % erzielen und ein kleineres Wärmemanagement sowie eine höhere Gesamtleistungsdichte ermöglichen.
Die genannten Bauteile basieren auf der GaN-Technologieplattform von Nexperia und zeichnen sich durch schnelle Schalteigenschaften, geringe Schaltverluste, kontrolliertes dynamisches Verhalten und robustes thermisches Verhalten aus. Sie werden in verschiedenen branchenüblichen Gehäuseoptionen angeboten, um elektrische und mechanische Designparameter zu optimieren und die Integration in bestehende Stromversorgungssystemarchitekturen zu erleichtern.
Die 35-mΩ- und 70-mΩ-Bauteile sind ab sofort in den Gehäusen TOLL, TOLT, TO-247-3 und TO-247-4 erhältlich. Das 50-mΩ-Modell soll im dritten Quartal 2026 auf den Markt kommen.
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