de.wedoany.com-Bericht: Die Firma SemiQ Inc. hat ihre QSiC™ Dual3-Halbbrücken-MOSFET-Modulserie erweitert. Neu hinzugekommen sind Optionen mit Aluminiumnitrid (AlN)-Substrat und vorab aufgetragenem Wärmeleitmaterial (TIM) für hohe thermische Leistung sowie 1700-V-Bauelemente. Die Serie richtet sich an Anwendungen wie AC-DC-Wandler und Festkörpertransformatoren (SST) in KI-Rechenzentren, Netzstromrichter in Energiespeichersystemen sowie industrielle Motorantriebe.
Die Module dieser Serie eignen sich für den Aufbau von Stromrichtern mit branchenführendem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Die Serie umfasst Bauelemente mit optional parallelen Schottky-Sperrschichtdioden (SBD) zur Reduzierung von Schaltverlusten und Steigerung des Wirkungsgrads bei hohen Temperaturen. Einige Bauteile weisen einen Einschaltwiderstand (RDSon) von nur 1 mΩ auf, bei einer Leistung von 1150 A und 1200 V sowie einer Gehäusegröße von 62 x 152 mm.
Das Modul ist für den direkten Austausch von IGBT-Modulen ausgelegt, ohne dass umfangreiche Neukonstruktionen erforderlich sind. Alle MOSFET-Chips durchlaufen einen Wafer-Level-Gateoxid-Alterungstest mit über 1450 V. Das Modul verfügt über einen niedrigen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse, wodurch kleinere und leichtere Kühlkörper verwendet werden können, was die Systemauslegung vereinfacht.
Dr. Timothy Han, Präsident von SemiQ, erklärte, dass Rechenzentren einen 24-Stunden-Dauerbetrieb benötigen und die Maximierung des Wirkungsgrads entscheidend sei. Die Serie biete ein flexibles Design und eine branchenführende Leistungsdichte, unterstütze aktive Frontends und Kompressorantriebe in Flüssigkühlungsanwendungen und ermögliche im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBT-Lösungen eine Reduzierung von Größe und Gewicht bei voller Ausnutzung der SiC-Effizienz.
Dr. Timothy Han fügte hinzu, dass die Module dank der neuen Hochleistungsoptionen auch in primäre AC-DC-Stromrichter und SSTs integriert werden. Dies ermögliche die direkte Umwandlung von Mittelspannung (13,8 kV oder 35 kV AC) in Hochspannung (800 V DC) und erfülle die Anforderungen moderner Rechenzentrums-Stromversorgungssysteme an einen hocheffizienten Betrieb.
Dieser Artikel wurde von Wedoany übersetzt und bearbeitet. Bei jeglicher Zitierung oder Nutzung durch künstliche Intelligenz (KI) ist die Quellenangabe „Wedoany“ zwingend vorgeschrieben. Sollten Urheberrechtsverletzungen oder andere Probleme vorliegen, bitten wir Sie, uns unverzüglich zu benachrichtigen. Wir werden den entsprechenden Inhalt umgehend anpassen oder löschen.
E-Mail: news@wedoany.com
