Siemens und Infineon entwickeln gemeinsam Halbleiter-Leistungsschalter auf Siliziumcarbid-Basis
2026-06-22 09:14
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de.wedoany.com-Bericht: Infineon und Siemens entwickeln gemeinsam eine auf Siliziumcarbid basierende Halbleiter-Leistungsschaltertechnologie für Rechenzentren, Produktionsanlagen und Batteriespeichersysteme. Die Technologie nutzt Infineons Siliziumcarbid-Leistungsmodule, um die Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit der Siemens-Leistungsschalter zu verbessern. Das Kernprodukt ist der Halbleiter-Leistungsschalter „Sentron 3QD2“.

Abbildung des Halbleiter-Leistungsschalters „Sentron 3QD2“. (Bildquelle: Siemens)

Ein Halbleiter-Leistungsschalter ist ein schnelles, auf Halbleitern basierendes Schaltgerät, das elektrische Komponenten bei Kurzschlüssen oder Überlastungen vor Schäden schützt. Andreas Weisl, Executive Vice President bei Infineon und Chief Sales Officer für Industrie und Infrastruktur, erklärte, dass der steigende Elektrifizierungsgrad von KI-Rechenzentren und Fabriken sowie die zunehmende Komplexität der Schaltkreise das Risiko elektrischer Störungen erhöhen. Dies führe zu einer größeren Nachfrage nach nachhaltigeren, effizienteren und zuverlässigeren Stromverteilungssystemen.

Im Gegensatz zu herkömmlichen elektromechanischen Leistungsschaltern, die zur Unterbrechung des Stromflusses auf mechanische Komponenten angewiesen sind, verwendet der Sentron 3QD2 Halbleiterbauelemente und intelligente Schutzalgorithmen für den Schaltungsschutz. Während herkömmliche elektromechanische Leistungsschalter typischerweise im Millisekundenbereich arbeiten, ermöglicht der Sentron 3QD2 eine ultraschnelle Abschaltung im Mikrosekundenbereich – bis zu 1000-mal schneller als herkömmliche Systeme. Diese Eigenschaft ist für Gleichstromnetze von entscheidender Bedeutung und verbessert den Schutz sowie die Systemverfügbarkeit erheblich. In Anwendungen wie der industriellen Fertigung oder KI-Rechenzentren können selbst kleinste Verzögerungen zu kostspieligen Ausfallzeiten, Datenverlust oder Hardwareschäden führen.

Im Rahmen dieser Zusammenarbeit wird Infineons „62-mm Cool SiC“ 1200V-MOSFET-Modul in die Schutzlösung von Siemens integriert. Die beiden Unternehmen streben an, für kritische Infrastrukturen – insbesondere für Anlagen mit hohen Anforderungen an Geschwindigkeit, Präzision und Zuverlässigkeit – widerstandsfähigere und effizientere Energieinfrastrukturlösungen bereitzustellen. Eine Vorführung des Siemens-Halbleiter-Leistungsschalters Sentron 3QD2 wird vom 9. bis 11. Juni 2026 auf der PCIM Europe 2026 in Nürnberg am Infineon-Stand (Halle 7, Stand 470) gezeigt.

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